| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-25页 |
| 1.1 二维材料的电子特性 | 第9页 |
| 1.2 薄膜材料的形核和生长 | 第9-12页 |
| 1.3 拓扑绝缘体简介 | 第12-17页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体及其新奇性质 | 第12-17页 |
| 1.4 拓扑晶体绝缘体简介 | 第17-25页 |
| 1.4.1 拓扑晶体绝缘体 | 第17-22页 |
| 1.4.2 拓扑晶体绝缘体的新奇性质以及潜在应用 | 第22-25页 |
| 第2章 实验仪器及原理 | 第25-46页 |
| 2.1 超高真空技术（UHV） | 第26-30页 |
| 2.2 低温技术 | 第30-31页 |
| 2.3 分子束外延技术（MBE） | 第31-33页 |
| 2.4 反射式高能电子衍射技术（RHEED） | 第33-36页 |
| 2.5 扫描隧道显微镜技术（STM） | 第36-41页 |
| 2.5.1 STM的基本原理 | 第36-37页 |
| 2.5.2 STM的基本构造 | 第37-40页 |
| 2.5.3 STM的工作模式 | 第40页 |
| 2.5.4 STS的基本原理 | 第40-41页 |
| 2.6 角分辨光电子能谱技术（ARPES） | 第41-46页 |
| 第3章 高质量拓扑晶体绝缘体—NaCl-type的SnSe薄膜的生长以及电子性质的研究 | 第46-65页 |
| 3.1 研究背景 | 第46-49页 |
| 3.2 实验方法 | 第49-52页 |
| 3.3 实验结果以及讨论 | 第52-63页 |
| 3.3.1 NaCl-type的SnSe薄膜的生长动力学以及晶格结构的研究 | 第52-59页 |
| 3.3.2 NaCl-type的SnSe薄膜的拓扑性质的研究 | 第59-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 In掺杂的Bi_2Se_3薄膜的拓扑相变的研究 | 第65-88页 |
| 4.1 研究背景 | 第65-70页 |
| 4.2 实验方法 | 第70-71页 |
| 4.3 实验结果以及讨论 | 第71-87页 |
| 4.3.1 In掺杂的Bi_2Se_3薄膜的生长 | 第71-75页 |
| 4.3.2 In掺杂的Bi_2Se_3薄膜的ARPES结果以及讨论 | 第75-82页 |
| 4.3.3 α-In2Se3和Graphene的范德瓦尔斯异质结的ARPES结果以及讨论 | 第82-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 随层厚变化Bi_2Se_3薄膜的热电性质的研究 | 第88-95页 |
| 5.1 研究背景 | 第88页 |
| 5.2 实验方法 | 第88-89页 |
| 5.3 实验结果以及讨论 | 第89-94页 |
| 5.3.1 高阻STO上Bi_2Se_3薄膜的形貌以及ARPES的研究 | 第89-90页 |
| 5.3.2 高阻STO上不同层厚Bi_2Se_3薄膜的热电性质以及输运性质的研究 | 第90-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第106页 |
