摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 硅基光电探测器概述 | 第11-19页 |
1.2.1 硅基光电探测器的基本类型及结构 | 第11-15页 |
1.2.2 硅基PIN光电探测器的发展历程及应用领域 | 第15-19页 |
1.3 高量子效率的硅基PIN光电探测器的研究现状 | 第19-20页 |
1.4 本论文的主要工作及创新点 | 第20-23页 |
第2章 硅基PIN光电探测器基本理论 | 第23-45页 |
2.1 硅基PIN光电探测器的理论基础 | 第23-37页 |
2.1.1 入射光的透射与反射 | 第24-27页 |
2.1.2 硅的光吸收 | 第27-31页 |
2.1.3 光生载流子的输运 | 第31-37页 |
2.2 硅基PIN光电探测器的主要性能参数 | 第37-44页 |
2.2.1 量子效率与光谱响应 | 第37-42页 |
2.2.2 暗电流 | 第42-43页 |
2.2.3 电容 | 第43-44页 |
2.3 本章小结 | 第44-45页 |
第3章 硅基PIN光电探测器的制备与测试 | 第45-74页 |
3.1 载流子收集增强探测器 | 第45-52页 |
3.1.1 载流子收集增强电场结构的提出 | 第45-48页 |
3.1.2 器件制备与性能分析 | 第48-52页 |
3.2 光生载流子的界面复合损耗研究 | 第52-60页 |
3.3 暗电流研究 | 第60-67页 |
3.4 高性能硅基PIN光电探测器件测试结果 | 第67-72页 |
3.4.1 高性能硅基PIN光电探测器件的I-V、C-V和量子效率 | 第67-70页 |
3.4.2 叉指重掺杂结构的硅基PIN光电探测器的示范验证 | 第70-72页 |
3.5 本章小结 | 第72-74页 |
第4章 硅基PIN光电探测器关键工艺的优化和性能分析 | 第74-88页 |
4.1 激光退火在硅基PIN光电探测器中的应用 | 第74-80页 |
4.1.1 激光退火与背面载流子的激活 | 第74-75页 |
4.1.2 激光退火增强硅基PIN光电探测器的量子效率 | 第75-80页 |
4.2 离子注入退火温度优化硅基PIN光电探测器的量子效率 | 第80-83页 |
4.3 离子注入优化硅基PIN光电探测器的暗电流 | 第83-86页 |
4.4 本章小结 | 第86-88页 |
第5章 增透膜优化的硅基PIN光电探测器 | 第88-120页 |
5.1 蚁群算法与增透膜设计 | 第88-99页 |
5.1.1 蚁群算法基本理论 | 第88-93页 |
5.1.2 增透膜设计中的蚁群优化算法理论 | 第93-99页 |
5.2 垂直入射宽光谱多层增透膜的优化设计 | 第99-101页 |
5.3 全角度宽光谱多层增透膜结构的优化设计 | 第101-118页 |
5.3.1 蚁群算法的优化结果 | 第101-106页 |
5.3.2 太阳光谱加权的蚁群算法的优化结果 | 第106-118页 |
5.4 本章小结 | 第118-120页 |
结论 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-132页 |
攻读博士期间所发表的学术论文 | 第132-134页 |
致谢 | 第134页 |