摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 引言 | 第11-15页 |
1.2 扫描隧道显微镜系统的成像原理 | 第15-16页 |
1.3 扫描隧道显微镜系统的应用 | 第16-19页 |
1.4 扫描隧道显微镜系统与其他技术的结合 | 第19-24页 |
1.4.1 与射频技术的结合 | 第19-20页 |
1.4.2 与电脉冲的结合 | 第20-21页 |
1.4.3 与激光技术的结合 | 第21-24页 |
1.5 本论文的研究内容 | 第24-25页 |
第二章 超高真空-变温-扫描隧道显微镜系统及其附属设备的搭建 | 第25-41页 |
2.1 系统整体结构 | 第25-27页 |
2.2 系统组成部分 | 第27-33页 |
2.2.1 气站搭建 | 第28页 |
2.2.2 样品与针尖处理台 | 第28-29页 |
2.2.3 光学兼容扫描隧道显微镜 | 第29-30页 |
2.2.4 低温部分获取 | 第30-33页 |
2.2.5 光学调整台 | 第33页 |
2.3 系统烘烤 | 第33-34页 |
2.4 系统测试 | 第34-36页 |
2.5 钛升华泵控制系统的搭建 | 第36-39页 |
2.5.1 钛升华泵简介 | 第36页 |
2.5.2 钛升华泵工作原理 | 第36-37页 |
2.5.3 钛升华泵控制系统的搭建 | 第37-39页 |
2.6 本章小结 | 第39-41页 |
第三章 DAT分子在Au(110)上的生长与结构调控 | 第41-49页 |
3.1 引言 | 第41-42页 |
3.2 实验过程介绍 | 第42-43页 |
3.3 实验结果分析 | 第43-48页 |
3.3.1 单层DAT分子的结构 | 第43-45页 |
3.3.2 单层DAT分子退火 200 ℃后的结构 | 第45-47页 |
3.3.3 单层DAT分子退火 350 ℃后的结构 | 第47页 |
3.3.4 单层DAT分子脱氢势垒研究 | 第47-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 并五苯分子在Au(110)上的生长与结构调控 | 第49-57页 |
4.1 引言 | 第49-51页 |
4.2 实验过程介绍 | 第51页 |
4.3 实验结果分析 | 第51-56页 |
4.3.1 单层并五苯分子的生长 | 第51-52页 |
4.3.2 单层并五苯分子的结构 | 第52-53页 |
4.3.3 单层并五苯分子高温退火后的结构 | 第53-55页 |
4.3.4 双层并五苯分子的结构 | 第55-56页 |
4.4 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 石墨烯纳米岛在Ag(110)上制备与结构表征 | 第57-65页 |
5.1 引言 | 第57-58页 |
5.2 实验过程介绍 | 第58页 |
5.3 实验结果分析 | 第58-63页 |
5.3.1 石墨烯形貌与质量调控 | 第58-60页 |
5.3.2 石墨烯形貌观测 | 第60-61页 |
5.3.3 石墨烯性能表征 | 第61-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-65页 |
第六章 光学-STM系统超快激光光路的搭建 | 第65-75页 |
6.1 引言 | 第65-68页 |
6.2 超快激光时间分辨技术的原理 | 第68-70页 |
6.3 超快激光与扫描隧道显微镜系统的耦合 | 第70-73页 |
6.4 本章小结 | 第73-75页 |
第七章 总结与展望 | 第75-79页 |
参考文献 | 第79-91页 |
博士期间专利与发表文章 | 第91-93页 |
致谢 | 第93-96页 |