| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第9-11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体发展历史 | 第11-20页 |
| 1.2.1 整数量子霍尔效应 | 第11-13页 |
| 1.2.2 量子自旋霍尔效应和Z2拓扑不变性 | 第13-16页 |
| 1.2.3 三维拓扑绝缘体 | 第16-20页 |
| 1.3 新型拓扑绝缘体 | 第20-24页 |
| 1.3.1 拓扑晶体绝缘体 | 第20-22页 |
| 1.3.2 拓扑近藤绝缘体 | 第22-24页 |
| 总结 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 实验中所采用的技术 | 第30-40页 |
| 2.1 晶体生长技术 | 第30-32页 |
| 2.1.1 布里奇曼生长单晶方法 | 第30-31页 |
| 2.1.2 改进后的布里奇曼法 | 第31-32页 |
| 2.2 光刻工艺 | 第32-35页 |
| 2.3 样品测量技术 | 第35-38页 |
| 2.3.1 综合物性测量系统(PPMS) | 第35-38页 |
| 总结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 四元拓扑绝缘体表面态以及多通道模型 | 第40-66页 |
| 3.1 缺陷化学及动力学 | 第40-42页 |
| 3.2 本征拓扑绝缘体 | 第42-57页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第43-47页 |
| 3.2.2 体相输运性质 | 第47-51页 |
| 3.2.3 多通道模型 | 第51-57页 |
| 3.3 宏观样品的非线性霍尔 | 第57-62页 |
| 3.3.1 宏观样品中多通道电导 | 第58-62页 |
| 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 四元拓扑绝缘体介观量子输运性质 | 第66-85页 |
| 4.1 Aharanov-Bohm效应 | 第66-72页 |
| 4.1.1 磁场下AB效应 | 第67-68页 |
| 4.1.2 Altshuler-Aronov-Spivak效应 | 第68-69页 |
| 4.1.3 拓扑绝缘体中的AB效应和AAS效应 | 第69-72页 |
| 4.2 普世电导涨落 | 第72-79页 |
| 4.2.1 四元拓扑绝缘体的普世电导涨落 | 第74-79页 |
| 4.3 弱局域化和弱反局域化 | 第79-83页 |
| 总结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第五章 总结 | 第85-88页 |
| 博士阶段已发表的论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |