| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 单壁碳纳米管的基本性质 | 第8-11页 |
| 1.1.1 单壁碳纳米管的结构特性 | 第8-9页 |
| 1.1.2 单壁碳纳米管的电子特性 | 第9-11页 |
| 1.2 半导体单壁碳纳米管的分离 | 第11-18页 |
| 1.2.1 共轭聚合物选择性分离半导体碳纳米管的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.2 半导体碳纳米管纯度的表征方法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 分离的半导体碳纳米管表面分散剂去除的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3 碳纳米管场效应晶体管的研究现状 | 第18-24页 |
| 1.3.1 碳纳米管在电子领域的应用前景 | 第18-19页 |
| 1.3.2 碳纳米管场效应晶体管的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.3.3 碳纳米管场效应晶体管发展面临的主要问题 | 第22-24页 |
| 1.4 课题的提出及研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 半导体碳纳米管的分离条件优化及纯度表征 | 第26-37页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验试剂与仪器 | 第26-28页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 实验方法 | 第28页 |
| 2.4 测试方法 | 第28-29页 |
| 2.5 结果与讨论 | 第29-36页 |
| 2.5.1 聚合物分子量对碳管分离浓度的影响 | 第29-31页 |
| 2.5.2 超声过程对分离碳管质量的影响 | 第31-34页 |
| 2.5.3 离心过程对纯度的影响 | 第34-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 半导体碳纳米管的二次纯化及电学性能验证 | 第37-55页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 实验试剂与仪器 | 第37-38页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第37-38页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第38页 |
| 3.3 实验方法 | 第38-41页 |
| 3.3.1 半导体碳管溶液的二次纯化 | 第38-39页 |
| 3.3.2 碳纳米管晶体管的制备方法及其工作原理 | 第39-41页 |
| 3.3.3 表征方法 | 第41页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第41-53页 |
| 3.4.1 高纯度s-SWNTs溶液的优化提纯 | 第41-46页 |
| 3.4.2 清洗前后碳管溶液制备薄膜的对比研究 | 第46-48页 |
| 3.4.3 碳纳米管薄膜的均匀性可控制备 | 第48-50页 |
| 3.4.4 优化提纯的s-SWNTs溶液的电学性能验证 | 第50-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 基于刻蚀工艺提高碳纳米管器件性能的方法研究 | 第55-64页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 实验试剂与仪器 | 第55页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第55页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第55页 |
| 4.3 实验方法 | 第55-56页 |
| 4.3.1 碳纳米管晶体管的制备及刻蚀工艺的引入 | 第55-56页 |
| 4.3.2 表征方法 | 第56页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第56-63页 |
| 4.4.1 不同的刻蚀时间对碳管薄膜形貌的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.2 不同的刻蚀时间对碳管薄膜拉曼光谱的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.3 不同的刻蚀时间碳纳米管晶体管性能的影响 | 第59-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 主要结论与展望 | 第64-66页 |
| 主要结论 | 第64-65页 |
| 工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |
