| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 传统存储器的概述 | 第17-19页 |
| 1.1.1 挥发式存储器 | 第17-18页 |
| 1.1.2 非挥发式存储器 | 第18-19页 |
| 1.2 新型非挥发式存储器 | 第19-23页 |
| 1.2.1 铁电随机存储器 | 第19-20页 |
| 1.2.2 相变化随机存储器 | 第20-21页 |
| 1.2.3 磁性随机存储器 | 第21-22页 |
| 1.2.4 阻变式存储器 | 第22-23页 |
| 1.3 存储器对比总结 | 第23-24页 |
| 1.4 课题研究背景与目的 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文工作与文章结构 | 第25-27页 |
| 第二章 实验原理综述 | 第27-43页 |
| 2.1 RRAM阻变材料 | 第27-28页 |
| 2.1.1 钙钛矿阻变材料 | 第27页 |
| 2.1.2 二元金属氧化物阻变材料 | 第27-28页 |
| 2.1.3 二氧化硅系阻变材料 | 第28页 |
| 2.1.4 高分子阻变材料 | 第28页 |
| 2.2 RRAM切换机理 | 第28-32页 |
| 2.2.1 导电灯丝理论 | 第28-29页 |
| 2.2.2 阴离子迁移 | 第29-30页 |
| 2.2.3 阳离子迁移 | 第30-32页 |
| 2.3 绝缘体漏电流传导机制 | 第32-35页 |
| 2.3.1 肖特基发射 | 第33-34页 |
| 2.3.2 欧姆传导 | 第34页 |
| 2.3.3 空间电荷限制 | 第34-35页 |
| 2.4 神经系统构造原理简介 | 第35-39页 |
| 2.4.1 神经元 | 第35-36页 |
| 2.4.2 突触 | 第36页 |
| 2.4.3 赫布学习法 | 第36-37页 |
| 2.4.4 尖峰时间依赖可塑性 | 第37页 |
| 2.4.5 大脑多比特存储模型 | 第37-39页 |
| 2.5 实验设备原理 | 第39-43页 |
| 2.5.1 多靶磁控溅镀系统 | 第39页 |
| 2.5.2 N&K薄膜特性分析仪 | 第39页 |
| 2.5.3 透射电子显微镜 | 第39-40页 |
| 2.5.4 X射线光电子能谱仪 | 第40页 |
| 2.5.5 傅立叶转换红外光谱仪 | 第40-42页 |
| 2.5.6 低温超临界流体系统 | 第42-43页 |
| 第三章 RRAM器件制造工艺与测量分析设备 | 第43-49页 |
| 3.1 图像化下电极器件工艺流程 | 第43-44页 |
| 3.2 阻变层薄膜制备工艺及参数 | 第44-45页 |
| 3.3 材料表征与电性测量设备 | 第45-47页 |
| 3.4 低温超临界流体处理实验步骤及参数 | 第47-49页 |
| 第四章 Pt/Ge SO/Ti N结构RRAM器件特性研究 | 第49-69页 |
| 4.1 材料分析论证 | 第49-51页 |
| 4.1.1 器件TEM结构分析 | 第49-50页 |
| 4.1.2 GeSO阻变层XPS分析 | 第50页 |
| 4.1.3 GeSO阻变层FTIR分析 | 第50-51页 |
| 4.2 基本电性测量 | 第51-55页 |
| 4.2.1 器件Forming电性测试 | 第51-52页 |
| 4.2.2 器件基本电流-电压曲线测试 | 第52-53页 |
| 4.2.3 不同尺寸大小器件的电流-电压曲线测试对比 | 第53-55页 |
| 4.3 连续多阶阻态特性测量 | 第55-57页 |
| 4.4 器件工作可靠度测试 | 第57-59页 |
| 4.4.1 器件可重复操作性测试 | 第57-58页 |
| 4.4.2 器件数据保持能力测试 | 第58-59页 |
| 4.5 器件特殊条件处理特性对比分析 | 第59-67页 |
| 4.5.1 低温超临界流体处理前后XPS对比 | 第59-60页 |
| 4.5.2 低温超临界处理前后电性对比分析 | 第60-62页 |
| 4.5.3 低温超临界处理前后器件工作可靠度对比 | 第62页 |
| 4.5.4 超临界处理后RRAM在不同限流下特性分析 | 第62-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 Pt/Ge SO/Ti N结构RRAM仿生特性的研究 | 第69-79页 |
| 5.1 脉冲下器件阻态连续改变特性量测 | 第69-72页 |
| 5.2 尖峰时间依赖可塑性仿生特性测量 | 第72-75页 |
| 5.3 对照组Pt/GeO/Ti N特性对比 | 第75-78页 |
| 5.3.1 GeO阻变层XPS成份分析 | 第76页 |
| 5.3.2 两种器件基本电流-电压特性 | 第76-77页 |
| 5.3.3 两种器件阻态连续变化特性对比 | 第77-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 机制分析与模型建立 | 第79-91页 |
| 6.1 多阶连续阻态导电机制分析与导电模型建立 | 第79-84页 |
| 6.2 低温超临界流体处理机制分析与模型建立 | 第84-86页 |
| 6.3 器件在不同限流下机制分析与模型建立 | 第86-89页 |
| 6.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第七章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 作者简介 | 第103-104页 |
