| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-40页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的性质和概述 | 第14-23页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第14-15页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的结构和极化特性 | 第15-20页 |
| 1.1.3 Ⅲ族氮化物材料的发展历史 | 第20-23页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料和器件研究的发展趋势 | 第23-30页 |
| 1.2.1 极化效应对Ⅲ族氮化物器件性能的制约 | 第23-28页 |
| 1.2.1.1 氮化物光电子器件 | 第23-25页 |
| 1.2.1.2 紫外光电探测器 | 第25-27页 |
| 1.2.1.3 太阳能电池 | 第27-28页 |
| 1.2.2 极化效应在Ⅲ族氮化物器件中的应用 | 第28-30页 |
| 1.2.2.1 GaN基电力电子器件 | 第28-29页 |
| 1.2.2.2 金属-半导体接触 | 第29-30页 |
| 1.3 极化效应的解决方案 | 第30-33页 |
| 1.3.1 非极性面和半极性面GaN材料 | 第31-32页 |
| 1.3.2 图形化硅衬底技术 | 第32页 |
| 1.3.3 量子阱结构的优化 | 第32-33页 |
| 1.4 论文研究内容和结构 | 第33-35页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第33-34页 |
| 1.4.2 论文结构 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-40页 |
| 第二章 GaN衬底高质量InGaN多量子阱的极化特性研究 | 第40-63页 |
| 2.1 研究内容与研究意义 | 第40-41页 |
| 2.2 InGaN/GaN量子阱的生长原理和表征手段 | 第41-46页 |
| 2.2.1 MOCVD生长原理与生长系统简介 | 第41-42页 |
| 2.2.2 Ⅲ族氮化物材料测试手段 | 第42-46页 |
| 2.3 GaN衬底高质量InGaN/GaN多量子阱的制备和表征 | 第46-51页 |
| 2.3.1 InGaN/GaN多量子阱结构的MOCVD生长实验过程 | 第46-47页 |
| 2.3.2 高质量InGaN/GaN多量子阱的测试表征 | 第47-51页 |
| 2.3.2.1 XRD测试 | 第47-48页 |
| 2.3.2.2 AFM和TEM测试 | 第48-51页 |
| 2.4 高质量InGaN/GaN多量子阱的发光特性研究 | 第51-54页 |
| 2.4.1 变温PL谱研究 | 第51-53页 |
| 2.4.2 发光波长随温度的变化研究 | 第53-54页 |
| 2.5 InGaN/GaN多量子阱的极化特性研究 | 第54-59页 |
| 2.5.1 室温变激发功率PL谱研究 | 第54-57页 |
| 2.5.2 低温变激发功率的PL谱研究 | 第57-58页 |
| 2.5.3 时间分辨光致发光TRPL谱研究 | 第58-59页 |
| 2.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第三章 应变补偿AlInGaN超晶格材料的设计及特性研究 | 第63-78页 |
| 3.1 研究内容与研究意义 | 第63-64页 |
| 3.2 单层AlInGaN薄膜材料的位错机制研究 | 第64-69页 |
| 3.2.1 单层AlInGaN薄膜材料外延生长实验过程 | 第65-66页 |
| 3.2.2 单层AlInGaN薄膜材料的生长模式 | 第66-67页 |
| 3.2.3 单层AlGaInN薄膜材料的缺陷形成机制 | 第67-69页 |
| 3.3 AlInGaN超晶格材料的设计与制备表征 | 第69-74页 |
| 3.3.1 AlInGaN超晶格材料的结构设计 | 第69-71页 |
| 3.3.2 AlInGaN超晶格材料的生长实验过程 | 第71-72页 |
| 3.3.3 AlInGaN超晶格材料的性质研究 | 第72-74页 |
| 3.3.3.1 XRD测试 | 第72页 |
| 3.3.3.2 PL谱测试 | 第72-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 AlInGaN超晶格势垒在LED多量子阱中的应用 | 第78-92页 |
| 4.1 研究内容与研究意义 | 第78-79页 |
| 4.2 InGaN/AlInGaN超晶格多量子阱的生长实验过程 | 第79页 |
| 4.3 InGaN/AlInGaN超晶格多量子阱结构的测试和分析 | 第79-82页 |
| 4.3.1 XRD测试 | 第80-81页 |
| 4.3.2 SEM测试 | 第81-82页 |
| 4.4 InGaN/AlInGaN超晶格量子阱的极化特性 | 第82-90页 |
| 4.4.1 变功率PL谱研究 | 第83-86页 |
| 4.4.2 变温PL谱研究 | 第86-88页 |
| 4.4.3 内量子效率分析 | 第88-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第五章 AlInGaN超晶格材料在肖特基接触中的应用研究 | 第92-104页 |
| 5.1 研究背景和研究内容 | 第92-93页 |
| 5.2 AlInGaN超晶格肖特基接触的制备和表征方法 | 第93-95页 |
| 5.3 AlInGaN超晶格材料的电学特性分析 | 第95-96页 |
| 5.4 AlInGaN超晶格肖特基接触的载流子输运机制研究 | 第96-101页 |
| 5.4.1 肖特基接触载流子输运机制的理论模型 | 第96-98页 |
| 5.4.2 Pt/Au/AlInGaN肖特基接触的载流子输运机制研究 | 第98-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第六章 结论 | 第104-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第108-109页 |
| 申请和授权专利 | 第109-110页 |
