硅基薄膜电池高效陷光结构设计与制备
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅基薄膜电池纳米陷光结构的研究进展 | 第11-16页 |
| 1.3 本论文主要工作安排 | 第16-18页 |
| 第二章 陷光结构的数值分析方法 | 第18-27页 |
| 2.1 严格耦合波分析法(RCWA) | 第18-20页 |
| 2.2 TE偏振下的平面衍射 | 第20-23页 |
| 2.3 TM偏振下的平面衍射 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高效陷光结构的设计 | 第27-40页 |
| 3.1 陷光结构的提出 | 第27-29页 |
| 3.2 基于RCWA的陷光结构光学建模 | 第29-31页 |
| 3.3 二维余弦型陷光结构设计 | 第31-35页 |
| 3.3.1 结构优化 | 第31-33页 |
| 3.3.2 最优陷光结构 | 第33-35页 |
| 3.4 直角四棱锥型陷光结构设计 | 第35-39页 |
| 3.4.1 结构优化 | 第35-37页 |
| 3.4.2 最优陷光结构 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 干涉技术制备陷光结构 | 第40-70页 |
| 4.1 激光干涉光刻技术 | 第40-50页 |
| 4.1.1 基本原理 | 第40-43页 |
| 4.1.2 激光干涉平台搭建 | 第43-44页 |
| 4.1.3 实验流程 | 第44-50页 |
| 4.2 二维余弦型陷光结构制备 | 第50-60页 |
| 4.2.1 实验工艺优化 | 第50-55页 |
| 4.2.2 最佳面型结构制备 | 第55-60页 |
| 4.3 直角四棱锥型陷光结构制备 | 第60-68页 |
| 4.3.1 制备原理 | 第60-65页 |
| 4.3.2 陷光结构的初步制备 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 陷光结构转移技术研究 | 第70-79页 |
| 5.1 反应离子刻蚀(RIE)技术 | 第70-72页 |
| 5.2 余弦结构的传递 | 第72-76页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第76-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第79页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
