首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

亚稳态MnE(E=S、Se)低维纳米结构的快离子导体催化生长、机理及性质研究

摘要第5-8页
abstract第8-11页
第一章 绪论第14-44页
    1.1 亚稳态半导体纳米材料第14页
        1.1.1 材料的亚稳态第14页
        1.1.2 半导体纳米材料第14页
    1.2 一维半导体纳米材料的制备第14-29页
        1.2.1 溶液体系晶体生长理论第15-16页
        1.2.2 SLS(液-液-固,Solution-Liquid-Solid)生长模式及几种相关液相生长模式第16-23页
        1.2.3 快离子导体的概念第23-24页
        1.2.4 SSS(液-固-固,Solution-Solid-Solid)生长机制第24-29页
    1.3 本论文的选题背景和主要研究内容第29-32页
    参考文献第32-44页
第二章 基于液-固-固机理的超长亚稳态闪锌矿相硒化锰纳米线的快离子导体催化生长第44-76页
    2.1 引言第44-46页
    2.2 实验部分第46-48页
        2.2.1 试剂第46页
        2.2.2 硝酸银乙醇溶液的配制第46页
        2.2.3 样品制备第46-47页
        2.2.4 样品表征第47-48页
    2.3 结果与讨论第48-70页
    2.4 本章小结第70-71页
    参考文献第71-76页
第三章 液相控制生长亚稳态闪锌矿相MnS纳米线第76-112页
    3.1 引言第76-77页
    3.2 实验部分第77-79页
        3.2.1 试剂第77页
        3.2.2 硝酸银溶液的配制第77-78页
        3.2.3 Ag_2S纳米晶体原液的合成第78页
        3.2.4 Ag_2S纳米晶体催化生长亚稳态MnS纳米线第78页
        3.2.5 产物表征第78-79页
    3.3 结果与讨论第79-105页
    3.4 本章小结第105-106页
    参考文献第106-112页
第四章 一步法制备正交相三元AgGaSe_2纳米晶体及四元光学带隙可调AgIn_(1-x)Ga_xSe_2衍生物第112-144页
    4.1 引言第112-113页
    4.2 实验部分第113-115页
        4.2.1 试剂第114页
        4.2.2 样品制备第114-115页
        4.2.3 产物表征第115页
    4.3 结果与讨论第115-136页
    4.4 本章小结第136-138页
    参考文献第138-144页
第五章 总结与展望第144-148页
在读期间发表的学术论文与研究成果第148-150页
致谢第150页

论文共150页,点击 下载论文
上一篇:铜催化非活化烯、炔区域选择性可控的硼化烷基化反应研究
下一篇:基于类普鲁士蓝前驱体制备电催化剂及其在碱性电解水中的应用