摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
1.2 几种常见光电探测器件原理及性能简介 | 第11-20页 |
1.2.1 光电倍增管(PMT) | 第12-14页 |
1.2.2 超导体单光子探测器(SSPD) | 第14-16页 |
1.2.3 雪崩光电二极管(APD) | 第16-18页 |
1.2.4 硅雪崩光电二极管阵列(SiPM) | 第18-20页 |
1.3 SiPM的国内外研究现状 | 第20-22页 |
1.4 论文主要研究内容与章节安排 | 第22-25页 |
第二章 SiPM光子探测性能分析 | 第25-45页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 SiPM主要性能指标 | 第25-27页 |
2.3 SiPM工作原理及等效电路模型分析 | 第27-33页 |
2.3.1 工作原理 | 第27-30页 |
2.3.2 等效电路模型分析 | 第30-33页 |
2.4 SiPM暗计数性能测试 | 第33-38页 |
2.4.1 暗计数(Dark Counts)测试电路原理图及PCB | 第34-35页 |
2.4.2 暗计数测试系统 | 第35-36页 |
2.4.3 抑制暗计数的实验改进方法 | 第36-38页 |
2.5 Dark Counts测试结果及分析 | 第38-42页 |
2.6 Dark Counts统计分析 | 第42-44页 |
2.7 本章小结 | 第44-45页 |
第三章 基于SiPM的激光脉冲信号高精度多光子探测及统计特性分析 | 第45-63页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 基于SiPM的激光脉冲高精度多光子探测系统及参数设置 | 第46-47页 |
3.2.1 激光脉冲信号多光子探测系统 | 第46-47页 |
3.2.2 多光子探测系统参数设置 | 第47页 |
3.3 SiPM多光子探测数学模型及统计分析 | 第47-53页 |
3.3.1 基本数学模型 | 第47-50页 |
3.3.2 SiPM多光子探测模型分析 | 第50-52页 |
3.3.3 相干光源的特性分析 | 第52-53页 |
3.4 SiPM高精度多光子探测实验统计分析 | 第53-61页 |
3.4.1 基于高斯分布的多光子统计分析 | 第53-56页 |
3.4.2 基于泊松分布的多光子统计分析 | 第56-59页 |
3.4.3 两种分布模型的光子数量计算与误差比较 | 第59-61页 |
3.5 本章小结 | 第61-63页 |
第四章 LED纳秒脉冲驱动设计及SiPM多光子探测研究 | 第63-79页 |
4.1 引言 | 第63-64页 |
4.2 InGaN/GaN LED等效模型及理论分析 | 第64-66页 |
4.3 LED纳秒脉冲驱动电路设计与实现 | 第66-70页 |
4.3.1 纳秒脉冲驱动电路的改进设计 | 第66-68页 |
4.3.2 LED纳秒脉冲驱动实现及测试结果 | 第68-70页 |
4.4 基于SiPM的LED纳秒脉冲信号多光子探测 | 第70-72页 |
4.4.1 LED纳秒脉冲信号多光子探测系统 | 第70-71页 |
4.4.2 多光子探测系统参数设置 | 第71-72页 |
4.5 多光子实验测试结果及统计分析 | 第72-77页 |
4.5.1 基于SiPM的LED纳秒脉冲信号多光子探测实验结果 | 第72-74页 |
4.5.2 通用光源的多光子统计分析 | 第74-77页 |
4.6 本章小结 | 第77-79页 |
第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
5.1 本文工作总结 | 第79-80页 |
5.2 后期工作展望 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-87页 |
致谢 | 第87-89页 |
攻读硕士期间科研成果 | 第89页 |