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SiPM光子探测性能分析及高精度多光子探测研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 研究背景及意义第9-11页
    1.2 几种常见光电探测器件原理及性能简介第11-20页
        1.2.1 光电倍增管(PMT)第12-14页
        1.2.2 超导体单光子探测器(SSPD)第14-16页
        1.2.3 雪崩光电二极管(APD)第16-18页
        1.2.4 硅雪崩光电二极管阵列(SiPM)第18-20页
    1.3 SiPM的国内外研究现状第20-22页
    1.4 论文主要研究内容与章节安排第22-25页
第二章 SiPM光子探测性能分析第25-45页
    2.1 引言第25页
    2.2 SiPM主要性能指标第25-27页
    2.3 SiPM工作原理及等效电路模型分析第27-33页
        2.3.1 工作原理第27-30页
        2.3.2 等效电路模型分析第30-33页
    2.4 SiPM暗计数性能测试第33-38页
        2.4.1 暗计数(Dark Counts)测试电路原理图及PCB第34-35页
        2.4.2 暗计数测试系统第35-36页
        2.4.3 抑制暗计数的实验改进方法第36-38页
    2.5 Dark Counts测试结果及分析第38-42页
    2.6 Dark Counts统计分析第42-44页
    2.7 本章小结第44-45页
第三章 基于SiPM的激光脉冲信号高精度多光子探测及统计特性分析第45-63页
    3.1 引言第45-46页
    3.2 基于SiPM的激光脉冲高精度多光子探测系统及参数设置第46-47页
        3.2.1 激光脉冲信号多光子探测系统第46-47页
        3.2.2 多光子探测系统参数设置第47页
    3.3 SiPM多光子探测数学模型及统计分析第47-53页
        3.3.1 基本数学模型第47-50页
        3.3.2 SiPM多光子探测模型分析第50-52页
        3.3.3 相干光源的特性分析第52-53页
    3.4 SiPM高精度多光子探测实验统计分析第53-61页
        3.4.1 基于高斯分布的多光子统计分析第53-56页
        3.4.2 基于泊松分布的多光子统计分析第56-59页
        3.4.3 两种分布模型的光子数量计算与误差比较第59-61页
    3.5 本章小结第61-63页
第四章 LED纳秒脉冲驱动设计及SiPM多光子探测研究第63-79页
    4.1 引言第63-64页
    4.2 InGaN/GaN LED等效模型及理论分析第64-66页
    4.3 LED纳秒脉冲驱动电路设计与实现第66-70页
        4.3.1 纳秒脉冲驱动电路的改进设计第66-68页
        4.3.2 LED纳秒脉冲驱动实现及测试结果第68-70页
    4.4 基于SiPM的LED纳秒脉冲信号多光子探测第70-72页
        4.4.1 LED纳秒脉冲信号多光子探测系统第70-71页
        4.4.2 多光子探测系统参数设置第71-72页
    4.5 多光子实验测试结果及统计分析第72-77页
        4.5.1 基于SiPM的LED纳秒脉冲信号多光子探测实验结果第72-74页
        4.5.2 通用光源的多光子统计分析第74-77页
    4.6 本章小结第77-79页
第五章 总结与展望第79-81页
    5.1 本文工作总结第79-80页
    5.2 后期工作展望第80-81页
参考文献第81-87页
致谢第87-89页
攻读硕士期间科研成果第89页

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