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掺锗HfAlO_x薄膜的微结构与电荷存储特性

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第9-16页
   ·闪存器件的研究背景第9-13页
     ·研究的背景和意义第9页
     ·非易失性存储器件简介第9-11页
     ·传统闪存器件的结构与工作原理简介第11-12页
     ·纳米悬浮式栅极非易失性存储器(NFG-NVM)的优点第12-13页
   ·本文研究中栅控/隧穿层,纳米微粒电荷存储单元材料的选择第13-14页
   ·本文研究的目的、意义和主要内容第14-16页
第二章 薄膜制备,微结构观测和电学性能表征方法简介第16-22页
   ·常见制备薄膜的方法简介第16页
   ·射频磁控溅射原理简介第16-17页
   ·薄膜微结构形貌、成分表征方法第17-19页
     ·X射线光电子能谱仪(XPS)原理简介第17-18页
     ·透射电子显微镜(TEM)原理简介第18页
     ·X射线衍射分析(XRD)原理简介第18-19页
     ·台阶仪的测量原理简介第19页
   ·铪铝氧化物薄膜物理厚度的标定第19-20页
   ·薄膜电学性能的测量仪器及其方法简介第20-22页
第三章 HfAlO_x薄膜微结构、界面反应和介电性能研究第22-32页
   ·薄膜样品的制备,后处理以及测试条件第23页
   ·p-SiGe/Si基片上HfAlO_x薄膜微结构的观测与分析第23-26页
   ·p-SiGe/Si基片上HfAlO_x薄膜的界面反应动力学过程第26-27页
   ·HfAlO_x薄膜电容频谱曲线的测量与分析第27-28页
   ·p-SiGe/Si(100)基片上HfAlO_x薄膜电学性能参数的表征与分析第28-29页
   ·HfAlO_x/SiGe界面层有效介电常数的估算第29-30页
   ·本章小结第30-32页
第四章 掺锗铪铝氧化物薄膜的制备与微结构观测第32-35页
   ·掺锗铪铝氧化物薄膜样品的制备第32页
   ·掺锗铪铝氧化物薄膜的形貌、微结构观测与分析第32-34页
   ·本章小结第34-35页
第五章 掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储特性第35-53页
   ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器结构的制备第35-36页
   ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器的C-V/J-V特性曲线测量第36-38页
     ·理想MOS电容器的C-V特性曲线第36-38页
     ·J-V曲线的测量第38页
   ·掺Ge前后铪铝氧化物薄膜介电性能对比第38-39页
   ·掺Ge铪铝氧化物薄膜电荷存储特性第39-40页
     ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器结构电容电压曲线测量与分析第39-40页
   ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电存储机理及电荷存储时效性能第40-43页
     ·能带理论—理解掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储机理第40-42页
     ·量子理论—理解掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储机理第42-43页
     ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储时效性能第43页
   ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷隧穿机理研究第43-51页
     ·常见电荷隧穿机制简介第44-47页
     ·掺Ge铪铝氧化物薄膜隧穿特性曲线拟合与分析第47-51页
   ·掺Ge铪铝氧薄膜的电荷隧穿机制解释第51页
   ·本章小结第51-53页
第六章 结论与展望第53-56页
参考文献第56-70页
硕士期间发表论文第70-71页
致谢第71页

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