| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·闪存器件的研究背景 | 第9-13页 |
| ·研究的背景和意义 | 第9页 |
| ·非易失性存储器件简介 | 第9-11页 |
| ·传统闪存器件的结构与工作原理简介 | 第11-12页 |
| ·纳米悬浮式栅极非易失性存储器(NFG-NVM)的优点 | 第12-13页 |
| ·本文研究中栅控/隧穿层,纳米微粒电荷存储单元材料的选择 | 第13-14页 |
| ·本文研究的目的、意义和主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜制备,微结构观测和电学性能表征方法简介 | 第16-22页 |
| ·常见制备薄膜的方法简介 | 第16页 |
| ·射频磁控溅射原理简介 | 第16-17页 |
| ·薄膜微结构形貌、成分表征方法 | 第17-19页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS)原理简介 | 第17-18页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)原理简介 | 第18页 |
| ·X射线衍射分析(XRD)原理简介 | 第18-19页 |
| ·台阶仪的测量原理简介 | 第19页 |
| ·铪铝氧化物薄膜物理厚度的标定 | 第19-20页 |
| ·薄膜电学性能的测量仪器及其方法简介 | 第20-22页 |
| 第三章 HfAlO_x薄膜微结构、界面反应和介电性能研究 | 第22-32页 |
| ·薄膜样品的制备,后处理以及测试条件 | 第23页 |
| ·p-SiGe/Si基片上HfAlO_x薄膜微结构的观测与分析 | 第23-26页 |
| ·p-SiGe/Si基片上HfAlO_x薄膜的界面反应动力学过程 | 第26-27页 |
| ·HfAlO_x薄膜电容频谱曲线的测量与分析 | 第27-28页 |
| ·p-SiGe/Si(100)基片上HfAlO_x薄膜电学性能参数的表征与分析 | 第28-29页 |
| ·HfAlO_x/SiGe界面层有效介电常数的估算 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 掺锗铪铝氧化物薄膜的制备与微结构观测 | 第32-35页 |
| ·掺锗铪铝氧化物薄膜样品的制备 | 第32页 |
| ·掺锗铪铝氧化物薄膜的形貌、微结构观测与分析 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储特性 | 第35-53页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器结构的制备 | 第35-36页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器的C-V/J-V特性曲线测量 | 第36-38页 |
| ·理想MOS电容器的C-V特性曲线 | 第36-38页 |
| ·J-V曲线的测量 | 第38页 |
| ·掺Ge前后铪铝氧化物薄膜介电性能对比 | 第38-39页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜电荷存储特性 | 第39-40页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜MOS电容器结构电容电压曲线测量与分析 | 第39-40页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电存储机理及电荷存储时效性能 | 第40-43页 |
| ·能带理论—理解掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储机理 | 第40-42页 |
| ·量子理论—理解掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储机理 | 第42-43页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷存储时效性能 | 第43页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜的电荷隧穿机理研究 | 第43-51页 |
| ·常见电荷隧穿机制简介 | 第44-47页 |
| ·掺Ge铪铝氧化物薄膜隧穿特性曲线拟合与分析 | 第47-51页 |
| ·掺Ge铪铝氧薄膜的电荷隧穿机制解释 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-70页 |
| 硕士期间发表论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
