| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·碲镉汞红外探测器发展及挑战 | 第11-12页 |
| ·国内外暗电流非均匀性问题的研究状况 | 第12-16页 |
| ·自归零法 | 第13-14页 |
| ·电流复制单元法 | 第14-16页 |
| ·本论文的研究意义和主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 红外探测器读出电路设计分析 | 第17-30页 |
| ·探测器材料结构以及与读出电路耦合方式 | 第17-18页 |
| ·红外探测器成像系统要求 | 第18-20页 |
| ·探测器偏置电压 | 第18页 |
| ·注入效率和带宽 | 第18页 |
| ·电荷存储容量 | 第18页 |
| ·噪声 | 第18-19页 |
| ·动态范围 | 第19页 |
| ·读出速率 | 第19页 |
| ·积分时间 | 第19页 |
| ·阵列尺寸与间距 | 第19页 |
| ·功耗 | 第19页 |
| ·工作温度 | 第19-20页 |
| ·读出电路的工作原理 | 第20页 |
| ·读出电路的输入级结构 | 第20-26页 |
| ·源随器型（Source-Follower Per Detector） | 第21页 |
| ·直接注入型（Direct Injection） | 第21-22页 |
| ·栅极调制输入型(Gate-Modulation Input) | 第22-23页 |
| ·缓冲直接注入型(Buffered Direct Injection) | 第23-24页 |
| ·电容跨阻抗放大器型(Capacitive Transimpedance Amplifier) | 第24-25页 |
| ·缓冲共享直接注入型(Share-Buffered Direct Injection) | 第25-26页 |
| ·读出电路后端结构 | 第26-29页 |
| ·采样保持电路 | 第26-27页 |
| ·输出级电路 | 第27-28页 |
| ·移位寄存器 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 列读出电路的前端设计 | 第30-53页 |
| ·整体电路结构框架 | 第30-32页 |
| ·积分读出电路设计 | 第32-35页 |
| ·电流镜结构设计 | 第35-36页 |
| ·电流存储单元结构设计 | 第36-39页 |
| ·电流存储单元概念 | 第36-38页 |
| ·本文采用的电流存储单元结构 | 第38-39页 |
| ·采样保持电路设计 | 第39-41页 |
| ·相关双采样电路（CDS） | 第39-40页 |
| ·移位寄存器 | 第40-41页 |
| ·电路工作过程及时序 | 第41-43页 |
| ·电路仿真结果 | 第43-52页 |
| ·积分电压仿真 | 第43-44页 |
| ·相关双采样控制逻辑 | 第44-45页 |
| ·功能性仿真 | 第45-47页 |
| ·读出信号线性度 | 第47-48页 |
| ·最小测量对比度 | 第48页 |
| ·存储电流保持时间和精度 | 第48-51页 |
| ·噪声仿真分析 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 线列读出电路的后端设计 | 第53-58页 |
| ·单元电路版图设计 | 第53-55页 |
| ·移位寄存器 | 第54-55页 |
| ·可靠性/安全性设计与分析 | 第55-56页 |
| ·抗闩锁设计 | 第55页 |
| ·防静电放电设计 | 第55-56页 |
| ·抗辐射能力设计 | 第56页 |
| ·版图验证 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 电路测试及结果分析 | 第58-66页 |
| ·测试说明 | 第58-60页 |
| ·器件接口 | 第58-59页 |
| ·测试平台搭建 | 第59-60页 |
| ·77K低温杜瓦封装电路测试 | 第60-63页 |
| ·响应不均匀性 | 第63页 |
| ·噪声测试 | 第63-64页 |
| ·功耗测试 | 第64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第72页 |
