| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·半导体纳米晶概述 | 第9-11页 |
| ·半导体纳米材料的制备方法 | 第11-16页 |
| ·化学沉淀法 | 第12页 |
| ·热分解法 | 第12-13页 |
| ·溶剂热和水热法 | 第13页 |
| ·“界面控制反应”法 | 第13-14页 |
| ·成核掺杂法 | 第14-16页 |
| ·半导体纳米材料的表征方法 | 第16-18页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第16-17页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第17页 |
| ·吸收光谱分析 | 第17页 |
| ·发射光谱分析 | 第17页 |
| ·荧光寿命分析 | 第17页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第17-18页 |
| ·半导体纳米晶的应用 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 CdS纳米晶的制备及其发光性质研究 | 第22-35页 |
| ·近紫外光激发CdS纳米晶实现白光发射 | 第22-28页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·实验部分 | 第22-23页 |
| ·CdS纳米晶透射电镜分析 | 第23-24页 |
| ·CdS纳米晶吸收光谱分析 | 第24-25页 |
| ·CdS纳米晶光致发光性质研究 | 第25-26页 |
| ·基于CdS纳米晶发光器件性能研究 | 第26-28页 |
| ·蓝光激发CdS纳米晶实现白光发射 | 第28-34页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·实验部分 | 第29页 |
| ·实验结果与讨论 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 Eu_xS纳米晶、Eu_xS/ZnS及Er_2S_3/ZnS核壳纳米晶的制备及其发光性质研究 | 第35-54页 |
| ·Eu_xS纳米晶的制备及其发光性质研究 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·实验部分 | 第35-36页 |
| ·实验结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·Eu_xS/ZnS核壳纳米晶的制备及其发光性质研究 | 第42-47页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验过程 | 第43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-47页 |
| ·Er_2S_3/ZnS核壳纳米晶的制备及其发光性质研究 | 第47-53页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验部分 | 第48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·本章总结 | 第53-54页 |
| 第四章 基于PbS纳米晶的核壳纳米晶制备及发光性质研究 | 第54-65页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验部分 | 第54-56页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第54-55页 |
| ·实验步骤 | 第55-56页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第56-64页 |
| ·PbS纳米晶 | 第56-58页 |
| ·PbS/ZnS核壳纳米晶和PbS/CdS核壳纳米晶(Pb/S=1：10,PbO为前驱物) | 第58-61页 |
| ·PbS/CdS核壳纳米晶(Pb/S=1：100,PbSt_2为前驱物) | 第61-64页 |
| ·本章总结 | 第64-65页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65-66页 |
| ·下一步应开展的工作 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
