摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-13页 |
·研究背景 | 第10-11页 |
·物理冶金法提纯多晶硅及其电池的现状 | 第11-13页 |
第二章 基础知识及相关原理 | 第13-29页 |
·晶体硅太阳电池原理和基本结构 | 第13-14页 |
·商业化生产晶硅太阳电池制作工艺流程 | 第14-15页 |
·硅太阳电池性能参数 | 第15-16页 |
·相关的基本理论 | 第16-27页 |
·薄膜的干涉原理 | 第16-18页 |
·晶体硅电池的单层减反射膜 | 第18-20页 |
·晶体硅电池的多层减反射膜的反射率 | 第20-22页 |
·氮化硅薄膜基本性质及制备方法 | 第22-27页 |
·本研究的目的和内容 | 第27-29页 |
第三章 设计与实验 | 第29-40页 |
·PC1D软件模拟设计三层氮化硅膜 | 第29-35页 |
·实验材料和设备 | 第35页 |
·实验 | 第35-40页 |
·实验路线 | 第35-36页 |
·氮化硅薄膜的沉积 | 第36-40页 |
第四章 结果与讨论 | 第40-61页 |
·氮化硅薄膜的厚度、折射率 | 第40-43页 |
·氮化硅薄膜的SEM分析 | 第43-47页 |
·氮化硅薄膜表面形貌 | 第43-44页 |
·氮化硅薄膜的能谱分析 | 第44-46页 |
·氮化硅薄膜剖面的SEM分析 | 第46-47页 |
·氮化硅薄膜的反射率 | 第47-51页 |
·三层氮化硅薄膜的钝化效果 | 第51-52页 |
·物理冶金多晶硅太阳电池的量子效率 | 第52-54页 |
·物理冶金多晶硅电池的性能分析 | 第54-61页 |
·不同工艺沉积氮化硅膜电池的性能 | 第54-59页 |
·物理冶金多晶硅和常规化学提纯多晶硅太阳电池性能比较 | 第59-61页 |
第五章 结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
攻读硕士学位期间获得的学术成果及获奖 | 第66页 |
攻读硕士学位期间参加的科研项目和学术会议 | 第66页 |