MLC型NAND闪存的差错控制编码技术研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-13页
·课题背景及面临的问题	第7-8页
·国内外研究现状	第8-12页
·针对块删除特性的闪存编码方案	第9-11页
·系统级闪存差错控制编码技术	第11-12页
·研究意义及应用前景	第12页
·本文主要工作和内容安排	第12-13页
第二章 NAND 闪存基础和噪声信道模型	第13-21页
·闪存特性	第13-17页
·闪存的类型	第13-14页
·NAND 闪存的结构	第14-16页
·NAND 闪存的操作模型	第16-17页
·NAND 闪存的信道模型和干扰源	第17-19页
·单元间干扰	第17-18页
·PE 循环的影响	第18页
·MLC 型 NAND 闪存信道模型	第18-19页
·NAND 闪存的差错控制编码技术基础	第19-20页
·本章小结	第20-21页
第三章 MLC 型 NAND 闪存的等级调制方案	第21-31页
·等级调制方案	第21-22页
·等级调制格雷码	第22-25页
·平衡的等级调制格雷码	第25-28页
·平衡等级调制格雷码的定义和构造	第25-26页
·用等级表示置换	第26-28页
·实验结果及分析	第28-30页
·本章小结	第30-31页
第四章 MLC 型 NAND 闪存的差错控制	第31-51页
·NAND 闪存的错误类型	第31-32页
·系统级的差错控制	第32-39页
·闪存单元的存储感知	第32-34页
·软判决 LLR 的计算方法	第34-37页
·计算结果及分析	第37-39页
·NAND 闪存特有错误的差错控制	第39-49页
·利用奇偶校验码纠正有限强度错误	第39-43页
·双向有限强度纠错算法	第43-47页
·仿真结果及分析	第47-49页
·本章小结	第49-51页
结束语	第51-53页
致谢	第53-55页
参考文献	第55-61页
攻读硕士期间完成的论文和参与的科研工作	第61-62页