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氧化锌纳米棒的可控制备与光电性能调控

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-30页
   ·研究背景第12页
   ·ZnO纳米结构的制备第12-17页
     ·制备方法简介第12-14页
     ·形貌控制第14-17页
   ·ZnO的电学调控第17-20页
     ·常规调控第17-18页
     ·特殊调控第18-20页
   ·ZnO发光性能调控第20-23页
   ·本论文的研究内容第23-25页
 参考文献第25-30页
第二章 缺陷对氧化锌电子声子耦合强度的抑制作用第30-48页
   ·研究背景第30-31页
   ·氧化锌纳米棒中氧空位浓度的调控第31-34页
     ·样品制备第31页
     ·样品表征使用仪器第31页
     ·样品形貌第31-32页
     ·纳米棒的室温PL与XRD表征第32-33页
     ·氧空位浓度的表征——XPS第33-34页
   ·氧化锌纳米棒中电子与声子耦合强度的分析第34-39页
     ·变温PL第34-38页
     ·拉曼散射光谱第38-39页
   ·氧空位抑制电声耦合作用的机理第39页
   ·离化缺陷对电子声子耦合的影响第39-44页
     ·电子跃迁的晶格弛豫理论第40-41页
     ·离化缺陷的电场对电子与声子相互作用的影响第41-42页
     ·发光现象中的尺寸效应第42-43页
     ·晶面对电子与声子相互作用的影响第43-44页
   ·本章小结第44-45页
 参考文献第45-48页
第三章 界面本征掺杂集成优化ZnO纳米棒发光与导电性能第48-74页
   ·研究背景第48页
   ·结构设计第48-49页
   ·样品制备第49-54页
     ·一次生长第49-53页
     ·三次生长第53-54页
     ·样品选择第54页
   ·表征样品的仪器第54页
   ·界面层的表征第54-56页
   ·常规纳米棒与核壳结构纳米棒的电学性能的表征第56-62页
     ·测量原理第56-58页
     ·FET器件制备第58页
     ·测量结果第58-62页
   ·常规纳米棒与核壳结构纳米棒的发光性能表征第62-64页
     ·表征方法简介第62-63页
     ·测量结果第63-64页
   ·机理解释第64-68页
     ·载流子分布第64-65页
     ·能带结构第65-66页
     ·优异电学特性的解释第66页
     ·发光增强的解释第66-68页
   ·更多的优点第68-69页
   ·本章小结第69-70页
 参考文献第70-74页
第四章 Li掺杂调控切换氧化锌纳米棒的轴向与径向生长第74-88页
   ·研究背景第74页
   ·样品制备方案第74-75页
   ·Li掺杂ZnO微米棒的径向生长第75-81页
     ·径向生长第75-76页
     ·晶向与成分第76页
     ·CL表征第76-79页
     ·Li掺杂ZnO纳米棒径向生长机理讨论第79-81页
   ·其它形貌纳米结构的设计和制备第81-84页
     ·纳米注射器第82页
     ·纳米梳第82-84页
   ·本章小结第84-85页
 参考文献第85-88页
第五章 展望第88-90页
致谢第90-92页
攻读博士期间发表论文情况第92-93页

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