掺杂氧化钒的制备及表征方法的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·氧化钒的基本性质 | 第10-15页 |
| ·钒的晶体结构 | 第10-13页 |
| ·二氧化钒的相变机理 | 第13-15页 |
| ·掺杂改变氧化钒性能的机理 | 第15-18页 |
| ·原子尺寸理论 | 第15-16页 |
| ·化合价理论 | 第16-17页 |
| ·应力理论 | 第17页 |
| ·电荷转移理论 | 第17-18页 |
| ·氧化钒的应用 | 第18-19页 |
| ·课题的目的、意义以及主要内容 | 第19-21页 |
| ·课题的目的及意义 | 第19-20页 |
| ·主要研究内容 | 第20页 |
| ·论文的内容安排 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 氧化钒薄膜的掺杂方法以及表征手段 | 第22-33页 |
| ·薄膜的生长 | 第22-24页 |
| ·掺杂氧化钒薄膜的制备方法 | 第24-27页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积法 | 第25页 |
| ·溅射法 | 第25-26页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第26-27页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第27-32页 |
| ·薄膜电学性能的分析 | 第27-29页 |
| ·薄膜结构的测试 | 第29-30页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第30-31页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 VO_2薄膜的掺杂实验与结果分析 | 第33-52页 |
| ·实验原理 | 第33-34页 |
| ·杂质 MO 在 VO_2中的扩散 | 第34-37页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第37-39页 |
| ·溅射装置 | 第37页 |
| ·基片的清洗 | 第37-38页 |
| ·实验方案 | 第38-39页 |
| ·掺钼氧化钒的晶相分析 | 第39-41页 |
| ·掺钼氧化钒电学性能的分析 | 第41-46页 |
| ·Mo 溅射时间对氧化钒电学性能的影响 | 第41-43页 |
| ·退火时间对氧化钒电学性能的影响 | 第43-44页 |
| ·氧分压对氧化钒电学性能的影响 | 第44-46页 |
| ·掺钼氧化钒光学性能的分析 | 第46-48页 |
| ·氧分压对氧化钒光学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·不同钼溅射时间对氧化钒光学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·降低杂质钼溅射功率下氧化钒的性能分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 V_2O_5薄膜的掺杂实验与结果分析 | 第52-58页 |
| ·薄膜的制备 | 第52-53页 |
| ·不同掺杂时间对薄膜性能的影响 | 第53-56页 |
| ·不同掺杂时间对薄膜晶相的影响 | 第53-55页 |
| ·不同掺杂时间对薄膜电学性能的影响 | 第55-56页 |
| ·不同退火时间对薄膜性能的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
