| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·铁电材料 | 第10-12页 |
| ·LiNbO_3（LN）材料概述 | 第12-13页 |
| ·第三代半导体材料 GaN 概述 | 第13-16页 |
| ·铁电/半导体集成结构研究现状 | 第16-18页 |
| ·论文的选题及研究方案 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第20-30页 |
| ·LN 薄膜常用制备方法 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第21-22页 |
| ·薄膜微观结构表征方法 | 第22-27页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第22-25页 |
| ·原子力显微镜 | 第25-26页 |
| ·压电响应力显微镜 | 第26-27页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第27-30页 |
| ·电极的制备 | 第27-28页 |
| ·铁电性能测试 | 第28-29页 |
| ·电流-电压（I-V）性能测试 | 第29页 |
| ·电容-电压（C-V）性能测试 | 第29-30页 |
| 第三章 GaN 衬底上 LN 薄膜的生长 | 第30-46页 |
| ·GaN 衬底上 LN 单层薄膜的生长 | 第30-36页 |
| ·实验参数对 LN 薄膜生长的影响 | 第30-33页 |
| ·优化条件生长的 LN 薄膜微结构表征 | 第33-36页 |
| ·LN 自缓冲层对薄膜生长的影响 | 第36-44页 |
| ·室温及有氧氛围沉积的 LN 自缓冲层对薄膜生长的影响 | 第37-41页 |
| ·室温及高真空沉积的 LN 自缓冲层对薄膜生长的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 LN 薄膜的电学性能研究 | 第46-60页 |
| ·LN/GaN 集成结构的 I-V 特性测试 | 第46-48页 |
| ·LN/GaN 集成结构的 C-V 特性测试 | 第48-49页 |
| ·LN 薄膜的铁电性能测试 | 第49-51页 |
| ·LN/ZnO:Al 集成结构的制备与电性能 | 第51-58页 |
| ·LN/ZnO:Al 集成结构的制备 | 第51-54页 |
| ·LN/ZnO:Al 集成结构的电性能 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |