| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·半导体量子点的特性及其在太阳能电池中的应用 | 第7-10页 |
| ·半导体量子点制备技术介绍 | 第10-16页 |
| ·量子点太阳能电池的研究历史 | 第16-20页 |
| ·本章小结及本论文安排 | 第20-21页 |
| 第二章 MBE生长技术 | 第21-27页 |
| ·分子束外延技术简介 | 第21-25页 |
| ·光致发光(PL)表征 | 第25-26页 |
| ·原子力扫描显微镜(AFM) | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 InAs/GaAs量子点的外延生长 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·量子点的生长过程 | 第27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 GaAs基量子点太阳能电池的制备与特性分析 | 第32-38页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·InAs/GaAs量子点太阳能电池的设计与测试装置 | 第32-34页 |
| ·InAs/GaAs量子点电池的制备 | 第34页 |
| ·实验结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 结论 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |