| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 自旋电子学概论 | 第9-39页 |
| ·自旋电子学研究基础 | 第9-21页 |
| ·应用理论基础 | 第10-14页 |
| ·自旋极化输运 | 第14-15页 |
| ·磁阻效应 | 第15-21页 |
| ·自旋电子器件的研究简介 | 第21-27页 |
| ·巨磁电阻、隧道磁电阻传感器 | 第21-24页 |
| ·巨磁电阻、隧道磁电阻硬盘磁头 | 第24-26页 |
| ·磁电阻随机存储器 | 第26-27页 |
| ·稀磁性半导体的研究及现状 | 第27-34页 |
| ·稀磁性半导体研究的理论基础 | 第27-29页 |
| ·稀磁性半导体的研究背景与方向 | 第29-32页 |
| ·几种稀磁性半导体的主要研究对象 | 第32-34页 |
| 第一章小结 | 第34页 |
| 第一章参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 磁性理论基础及平均场近似理论 | 第39-62页 |
| ·磁相互作用与磁有序 | 第39-42页 |
| ·磁各向异性 | 第42-45页 |
| ·纳米度域磁性体系参量 | 第45-51页 |
| ·磁性纳米体系的能量 | 第45-47页 |
| ·特征长度 | 第47-49页 |
| ·磁化反转模式 | 第49-50页 |
| ·温度稳定性 | 第50-51页 |
| ·DMS研究中的平均场近似理论 | 第51-59页 |
| ·简介 | 第52页 |
| ·对稀磁性半导体的第一性原理计算 | 第52-55页 |
| ·平均场近似当中的局域态密度和居里温度 | 第55-59页 |
| 第二章小结 | 第59页 |
| 第二章参考文献 | 第59-62页 |
| 第三章 Co掺杂ZnO基磁性纳米线的制备研究 | 第62-83页 |
| ·ZnO基稀磁半导体的几种制备方法 | 第63-66页 |
| ·用模板法制备稀磁性纳米线 | 第66-74页 |
| ·模板法简介 | 第66-68页 |
| ·AAO模板的制备 | 第68-71页 |
| ·AAO模板的参数与表征 | 第71-74页 |
| ·纳米度域Co掺杂ZnO的沉积和测试 | 第74-80页 |
| ·沉积Co掺杂ZnO纳米线 | 第74-75页 |
| ·性能表征 | 第75-80页 |
| 第三章小结 | 第80页 |
| 第三章参考文献 | 第80-83页 |
| 第四章 高自旋极化磁隧道结(MTJs)电极的研制 | 第83-110页 |
| ·磁隧道结(Magnetic Tunnel Junctions—MTJs)的研究简介 | 第83-90页 |
| ·MTJs的TMR材料的研究历史与背景 | 第83-85页 |
| ·TMR材料的研究现状 | 第85-88页 |
| ·MTJs的研究重点及方向 | 第88-90页 |
| ·Fe/MgO/Fe隧道结的制备研究 | 第90-101页 |
| ·Fe/MgO/Fe隧道结的溅射沉积 | 第90-93页 |
| ·预溅射层对于隧道结结晶性质的影响 | 第93-101页 |
| ·对研究结果的讨论 | 第101-104页 |
| 第四章小结 | 第104页 |
| 第四章参考文献 | 第104-110页 |
| 第五章 电极的FIB加工与碳纳米管的连接及测试 | 第110-130页 |
| ·研究背景与内容 | 第110-113页 |
| ·研究背景 | 第110-111页 |
| ·研究内容 | 第111-113页 |
| ·高自旋极化电极的加工 | 第113-121页 |
| ·电极的溅射沉积步骤 | 第113-114页 |
| ·聚焦离子束刻蚀(FIB) | 第114-118页 |
| ·水平Kerr磁光效应(Kerr magneto-optical effect)测试 | 第118-121页 |
| ·对CNT的连接及电学测试 | 第121-128页 |
| 第五章小结 | 第128页 |
| 第五章参考文献 | 第128-130页 |
| 第六章 总结与展望 | 第130-132页 |
| ·本论文工作的主要结论 | 第130-131页 |
| ·研究展望 | 第131-132页 |
| 攻读博士期间已发表和即将发表的论文 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133页 |