| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 插图目录 | 第12-18页 |
| 表格目录 | 第18-19页 |
| 第一章 引言 | 第19-24页 |
| ·研究背景 | 第19-20页 |
| ·Si(5512)表面结构 | 第20-21页 |
| ·硅表面上制作自组装铟原子结构的研究现状 | 第21-22页 |
| ·研究目的及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)原理及实验方法 | 第24-36页 |
| ·扫描隧道显微镜的原理与应用 | 第24-30页 |
| ·实验条件及方法 | 第30-32页 |
| ·UHV-STM实验室组成 | 第32-36页 |
| 第三章 表面上一维原子线电子态密度的分布类型 | 第36-51页 |
| ·充电对电子态密度有影响 | 第37-38页 |
| ·温度对电子态密度的影响 | 第38-40页 |
| ·吸附在表面上的原子的电子态密度分布与基底表面上的原子结构密切相关 | 第40-42页 |
| ·电子态密度分布与一维原子线上连续排列的悬键个数有关 | 第42-45页 |
| ·表面缺陷导致电子态密度重新分布 | 第45-46页 |
| ·电子态密度与一维原子线上原子的位置密切相关 | 第46-51页 |
| 第四章 利用UHV-STM研究Si(5512)表面上In-addimer,Si-addimer相邻位置电子态密度的分布 | 第51-61页 |
| ·Si(5512)上dimer-adatom-row上的Si-addimer及其In-addimer的吸附 | 第51-53页 |
| ·实验条件及观察方法 | 第53-56页 |
| ·现象观察及结果分析 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第72-73页 |
