CMOS振荡器噪声理论及优化技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-24页 |
| ·课题背景 | 第14-16页 |
| ·CMOS 振荡器 | 第16-22页 |
| ·振荡器的种类 | 第17-20页 |
| ·振荡器的相位噪声 | 第20-21页 |
| ·器件噪声 | 第21-22页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| ·论文结构 | 第23-24页 |
| 第2章 振荡器噪声理论基础 | 第24-55页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·器件噪声理论 | 第24-33页 |
| ·噪声统计特性 | 第24-26页 |
| ·噪声源 | 第26-28页 |
| ·沟道热噪声分析 | 第28-33页 |
| ·二端口网络理论 | 第33-45页 |
| ·基本理论 | 第33-41页 |
| ·噪声系数 | 第41-45页 |
| ·振荡器的基本原理 | 第45-54页 |
| ·两端负反馈系统分析 | 第46-48页 |
| ·单端能量补偿系统分析 | 第48-52页 |
| ·压控振荡器的数学模型 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第3章 MOSFET 高频噪声模型 | 第55-87页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·短沟道效应 | 第55-62页 |
| ·迁移率的退化 | 第57-59页 |
| ·速度饱和 | 第59-60页 |
| ·热载流子效应 | 第60-61页 |
| ·体电荷效应 | 第61页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第61-62页 |
| ·沟道热噪声模型 | 第62-68页 |
| ·概述 | 第62-65页 |
| ·建模 | 第65-68页 |
| ·其它高频噪声模型 | 第68-70页 |
| ·栅极诱导噪声模型 | 第68-69页 |
| ·栅极电阻噪声模型 | 第69-70页 |
| ·MOSFET 噪声参数 | 第70-74页 |
| ·测试方法及结果 | 第74-86页 |
| ·测试步骤 | 第74-79页 |
| ·测试结果 | 第79-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第4章 振荡器相噪模型 | 第87-106页 |
| ·引言 | 第87-89页 |
| ·振荡器相噪模型的回顾 | 第89-91页 |
| ·线性时变分析 | 第91-96页 |
| ·环形振荡器相噪模型 | 第96-100页 |
| ·单端环形振荡器 | 第97-99页 |
| ·差分环形振荡器 | 第99-100页 |
| ·LC 振荡器相噪模型 | 第100-102页 |
| ·测试与比较 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第5章 振荡器噪声优化技术 | 第106-121页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·振荡器的噪声载波比 | 第106-108页 |
| ·环形振荡器的噪声优化 | 第108-111页 |
| ·初始条件 | 第109页 |
| ·优化策略 | 第109-110页 |
| ·设计步骤 | 第110-111页 |
| ·LC 振荡器的噪声优化 | 第111-115页 |
| ·初始条件 | 第111-112页 |
| ·优化策略 | 第112-113页 |
| ·设计步骤 | 第113-114页 |
| ·螺旋电感品质因数的优化 | 第114-115页 |
| ·一种环形振荡器的电路设计 | 第115-120页 |
| ·原理分析 | 第115-117页 |
| ·测试结果与比较 | 第117-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-134页 |
| 附录A 噪声系数的去嵌技术 | 第134-140页 |
| A.1 并串联方法 | 第134-136页 |
| A.2 级联方法 | 第136-140页 |
| 附录B 脉冲敏感函数的计算方法 | 第140-143页 |
| B.1 直接脉冲响应 | 第140页 |
| B.2 稳态分析 | 第140-143页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第143-145页 |
| 致谢 | 第145页 |
