| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·研究目的与意义 | 第9-10页 |
| ·材料显微结构与性能的关系 | 第10-13页 |
| ·控制材料显微结构的若干因素 | 第13-20页 |
| ·表面活性剂对材料显微结构的影响 | 第13-17页 |
| ·结构缺陷对材料显微结构的影响 | 第17-20页 |
| ·富硼低维材料的研究现状 | 第20-23页 |
| ·富硼材料的性能研究 | 第20-21页 |
| ·富硼材料的制备与显微结构研究 | 第21-23页 |
| ·本论文的内容和创新点 | 第23-25页 |
| ·本文的内容 | 第23-24页 |
| ·本文的创新点 | 第24-25页 |
| 第2章 研究方法 | 第25-34页 |
| ·本章引论 | 第25页 |
| ·电子显微镜的基本原理和仪器参数 | 第25-34页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第26-34页 |
| 第3章 富硼低维材料的制备 | 第34-58页 |
| ·序言 | 第34-35页 |
| ·富硼低维材料制备工艺研究 | 第35-42页 |
| ·混料工艺对富硼低维材料产率的影响研究 | 第35-39页 |
| ·甘油添加剂对富硼低维材料产率和成分的影响 | 第39-42页 |
| ·影响富硼低维材料产率和显微结构的实验因素 | 第42-53页 |
| ·BaO 对富硼低维材料产率和显微结构的影响 | 第42-48页 |
| ·烧结温度对富硼低维材料显微结构和成分的影响 | 第48-53页 |
| ·化学气相沉积法制备富硼低维材料 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 富硼晶须的表征与生长机理 | 第58-81页 |
| ·序言 | 第58-59页 |
| ·富硼晶须的表征和生长机理研究 | 第59-79页 |
| ·晶须的形貌特征 | 第59-62页 |
| ·晶须的透射电镜表征与晶须的生长机理研究 | 第62-67页 |
| ·孪晶凹角生长机制的细节研究 | 第67-75页 |
| ·“核-壳”结构晶须的表征与生长机理研究 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 五角星纳米线的表征与生长机制研究 | 第81-107页 |
| ·序言 | 第81-82页 |
| ·五角星纳米线的研究现状 | 第82-89页 |
| ·五角星纳米线的制备与表征 | 第82-83页 |
| ·五角星纳米线的本征间隙 | 第83-87页 |
| ·金属五角星纳米线的生长机制 | 第87-89页 |
| ·富硼五角星纳米线的形貌与结构 | 第89-93页 |
| ·五角星纳米线的结构鉴定 | 第89-91页 |
| ·研究富硼五角星纳米线的意义 | 第91-93页 |
| ·B4C 五角星纳米棒截面表征与富硼五角星纳米线生长机理 | 第93-106页 |
| ·B4C 纳米棒循环孪晶截面表征 | 第93-95页 |
| ·B4C 纳米棒本征间隙承担机制研究 | 第95-97页 |
| ·B4C 五角星纳米棒的表面偏聚现象 | 第97-103页 |
| ·富硼纳米线的动力学生长现象 | 第103-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 第6章 富硼低维材料表面化学和表面结构研究 | 第107-125页 |
| ·序言 | 第107页 |
| ·表面偏聚-材料科学中共有的科学问题 | 第107-109页 |
| ·Ba 原子在富硼材料（001）面上的偏聚现象 | 第109-117页 |
| ·富硼低维材料的表面结构研究 | 第117-121页 |
| ·富硼低维材料复杂变体表征 | 第121-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 第7章 结论 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文 | 第141页 |