| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·GaN 材料的发展和应用 | 第11-13页 |
| ·GaN 材料的发展 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的广泛应用 | 第12-13页 |
| ·GaN 材料的基本特性及制备方法 | 第13-19页 |
| ·GaN 材料的基本特性 | 第13-16页 |
| ·GaN 材料制备方法 | 第16-19页 |
| ·GaN 基材料面临的问题 | 第19-22页 |
| ·本文研究的意义和主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验平台及相关表征技术 | 第23-33页 |
| ·MOCVD 外延GaN 的基本理论 | 第23-25页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 材料的基本原理 | 第23页 |
| ·GaN 薄膜的生长模型 | 第23-25页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第25-27页 |
| ·MOCVD 生长系统简介 | 第25-26页 |
| ·本研究所用的MOCVD 系统简介 | 第26-27页 |
| ·主要表征技术 | 第27-31页 |
| ·高分辨X 射线衍射(HRXRD) | 第27-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 基于斜切衬底的 GaN 薄膜生长和位错湮灭机理研究 | 第33-51页 |
| ·GaN 薄膜中的缺陷 | 第33-36页 |
| ·不同斜切衬底上GaN 外延薄膜的结晶质量研究 | 第36-41页 |
| ·GaN 基材料的工艺生长条件 | 第36-37页 |
| ·斜切衬底上GaN 基材料的结晶质量分析 | 第37-39页 |
| ·斜切衬底上GaN 基材料的应力研究 | 第39-41页 |
| ·不同斜切衬底上GaN 外延薄膜的表面形貌研究 | 第41-45页 |
| ·GaN 基材料的表面形貌 | 第42-43页 |
| ·斜切衬底上GaN 表面形貌的若干问题的讨论 | 第43-45页 |
| ·斜切衬底诱导GaN 外延薄膜位错湮灭的物理机制 | 第45-49页 |
| ·斜切衬底上GaN 的位错类型 | 第46-47页 |
| ·斜切衬底上GaN 中位错的集中湮灭 | 第47-48页 |
| ·斜切衬底上GaN 的位错扎堆现象 | 第48页 |
| ·斜切衬底上GaN 中位错的TEM 和HRXRD 比较分析 | 第48-49页 |
| ·斜切衬底上AlGaN/GaN 异质结材料的变温输运特性 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 低位错 GaN 外延薄膜的复合生长方法研究 | 第51-67页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·斜切衬底上HVPE 生长GaN 研究 | 第51-55页 |
| ·实验样品的制备 | 第51-52页 |
| ·不同衬底上GaN 材料HVPE 前后的表面形貌分析 | 第52-54页 |
| ·不同衬底上GaN 材料HVPE 前后位错分析 | 第54-55页 |
| ·基片表面处理对同质外延GaN 的影响 | 第55-62页 |
| ·基片表面处理及生长工艺 | 第55-56页 |
| ·基片表面处理对GaN 结晶质量的影响 | 第56-57页 |
| ·基片表面处理对GaN 表面形貌的影响 | 第57-59页 |
| ·表面处理降低二次生长GaN 薄膜中位错的讨论 | 第59-61页 |
| ·表面处理后同质外延GaN 薄膜的光学特性 | 第61-62页 |
| ·TiN 掩膜层有效提高GaN 材料质量 | 第62-66页 |
| ·实验的过程 | 第62-63页 |
| ·样品的表面形貌分析 | 第63-64页 |
| ·样品的质量分析 | 第64-66页 |
| ·采用TiN 掩膜层外延高质量GaN 材料的机理 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第79-81页 |
