| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·论文的选题背景 | 第9-10页 |
| ·CZT晶体简介 | 第10-17页 |
| ·CZT晶体的结构 | 第11-12页 |
| ·CZT晶体的生长 | 第12-15页 |
| ·CZT晶体的应用 | 第15-17页 |
| ·CZT晶体材料的特性和加工现状 | 第17-19页 |
| ·CZT晶体材料的特性 | 第17-18页 |
| ·CZT晶体晶片的加工现状 | 第18-19页 |
| ·论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 2 实验研究条件 | 第21-30页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·检测仪器 | 第21-22页 |
| ·实验样品的准备 | 第22-24页 |
| ·实验样品的切割 | 第22-23页 |
| ·实验样品的粘片 | 第23-24页 |
| ·实验样品的研磨 | 第24页 |
| ·实验样品的清洗 | 第24页 |
| ·磨料及抛光垫的选取 | 第24-30页 |
| 3 CZT晶片的机械抛光实验研究 | 第30-39页 |
| ·CZT晶片的机械抛光实验研究 | 第30-38页 |
| ·抛光压力对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第30-32页 |
| ·抛光盘转速对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第32-33页 |
| ·抛光液流量对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第33-34页 |
| ·抛光液中磨料浓度对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第34-36页 |
| ·抛光时间对表面粗糙度的影响 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4. CZT晶片抛光液的化学作用研究 | 第39-52页 |
| ·非钝化型(产生可溶性反应物的)抛光液作用的研究 | 第41-44页 |
| ·含硫酸加热抛光液的效果 | 第41-42页 |
| ·含过氧化钠抛光液的效果 | 第42-43页 |
| ·含硝酸加热抛光液的效果 | 第43-44页 |
| ·钝化型(产生难溶性反应物的)抛光液作用的研究 | 第44-47页 |
| ·含硫酸抛光液的效果 | 第44-45页 |
| ·含溴水抛光液的效果 | 第45-46页 |
| ·含硝酸抛光液的效果 | 第46-47页 |
| ·抛光CZT时抛光液化学作用机理的研究 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5 CZT晶片的化学机械抛光实验研究 | 第52-64页 |
| ·化学机械抛光技术的特点 | 第52页 |
| ·化学机械抛光技术原理 | 第52-53页 |
| ·CZT晶片化学机械抛光实验 | 第53-61页 |
| ·抛光液中化学成分浓度对晶体表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第53-55页 |
| ·抛光压力对晶体表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第55-57页 |
| ·抛光盘转速对晶体表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第57-59页 |
| ·抛光液流量对晶体表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第59-60页 |
| ·抛光时间对晶体表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第60-61页 |
| ·优选工艺参数 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 6. 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·进一步工作展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |