勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值分析
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 主要符号表 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·半导体材料制备概述 | 第10-13页 |
| ·溶液中生长晶体 | 第10-11页 |
| ·熔体中生长晶体 | 第11-13页 |
| ·直拉法（CZ 法）研究现状 | 第13-21页 |
| ·无磁场的研究 | 第14-17页 |
| ·磁场在直拉法中的应用 | 第17-19页 |
| ·磁控直拉法研究现状 | 第19-21页 |
| ·研究方法及研究内容 | 第21-23页 |
| ·研究方法及目的 | 第21-22页 |
| ·研究内容 | 第22-23页 |
| 2 数学物理模型的建立 | 第23-28页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·物理模型及相关假设 | 第23-24页 |
| ·数学模型及其简化 | 第24-28页 |
| ·控制方程组 | 第24-25页 |
| ·定解条件 | 第25-28页 |
| 3 洛仑兹力的确定 | 第28-34页 |
| ·洛仑兹力 | 第28页 |
| ·磁场的作用 | 第28页 |
| ·洛仑兹力的计算 | 第28页 |
| ·磁场强度计算 | 第28-31页 |
| ·磁场结构的确定 | 第31-34页 |
| 4 数值求解 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·有限单元法简介和网格选取 | 第34-36页 |
| ·数值计算方法 | 第36-44页 |
| ·坐标变换和插值函数 | 第37-38页 |
| ·单元变分计算方程 | 第38-43页 |
| ·高斯数值积分 | 第43-44页 |
| ·计算求解步骤 | 第44-46页 |
| 5 模拟结果与分析 | 第46-64页 |
| ·磁场对CZ 炉内流场的影响 | 第46-51页 |
| ·磁场对CZ 炉内温度场的影响 | 第51-58页 |
| ·磁场对CZ 炉内浓度场的影响 | 第58-64页 |
| 6 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第70页 |
