| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-24页 |
| ·导电高分子概述 | 第10-16页 |
| ·导电高分子的结构特征及导电机理 | 第10-13页 |
| ·导电高分子的合成方法 | 第13-14页 |
| ·导电高分子的基本性能及其应用前景 | 第14-16页 |
| ·半导体纳米微粒/聚合物复合膜研究概况 | 第16-19页 |
| ·半导体纳米微粒/聚合物复合膜的分类 | 第16-17页 |
| ·半导体纳米微粒/聚合物复合膜的制备方法 | 第17页 |
| ·聚噻吩复合膜的应用 | 第17-19页 |
| ·本论文的设想与主要工作 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 3-甲氧基噻吩的合成及表征 | 第24-39页 |
| ·实验部分 | 第24-28页 |
| ·仪器与试剂 | 第24页 |
| ·3-甲氧基噻吩的合成 | 第24-25页 |
| ·目标产物的结构表征 | 第25页 |
| ·气相色谱内标法测定3-溴噻吩转化率及残余含量 | 第25-27页 |
| ·正交法分析3-溴吩转化率的影响因素 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-36页 |
| ·3-甲氧基噻吩的物理性质 | 第28页 |
| ·目标产物的结构表征 | 第28-30页 |
| ·样品中3-溴噻吩的转化率及残余含量的分析 | 第30-33页 |
| ·3-溴基噻吩转化率的影响因素 | 第33-35页 |
| ·不同反应方式中时间对3-溴噻吩转化率的影响 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 3-己氧基噻吩的合成与表征 | 第39-45页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·仪器与试剂 | 第39页 |
| ·3-己氧基噻吩的合成 | 第39-40页 |
| ·目标产物的结构表征 | 第40页 |
| ·正交法分析3-己氧基噻吩产率的影响因素 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-43页 |
| ·目标产物的结构表征 | 第40-42页 |
| ·3-己氧基噻吩产率的影响因素 | 第42-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 聚烷氧基噻吩及聚噻吩/CdSe复合膜的制备与表征 | 第45-52页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第45-46页 |
| ·电化学法制备聚噻吩膜 | 第46页 |
| ·化学法制备聚烷氧基噻吩膜 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·聚噻吩/CdSe复合膜的性能与表征 | 第47-48页 |
| ·聚3-己氧基噻吩膜的性能与表征 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-53页 |
| 附录 | 第53-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第65页 |