论文提要 | 第1-8页 |
第一章 绪论 | 第8-34页 |
·纳米材料的物理理论 | 第9-15页 |
·久保(Kubo)理论 | 第10-11页 |
·量子尺寸效应 | 第11-12页 |
·小尺寸效应 | 第12页 |
·表面效应 | 第12-13页 |
·宏观量子隧道效应 | 第13-14页 |
·库仑堵塞及量子隧穿效应 | 第14页 |
·介电限域效应 | 第14-15页 |
·纳米材料家族中的重要成员——半导体纳米晶 | 第15-17页 |
·半导体纳米晶的典型代表——CdSe纳米晶 | 第17-25页 |
·CdSe纳米晶的研究历程 | 第17-22页 |
·CdSe纳米晶的结构 | 第22-23页 |
·魔力尺寸的CdSe纳米晶 | 第23-25页 |
·半导体纳米晶的生长动力学 | 第25-28页 |
·半导体纳米晶的应用 | 第28-32页 |
·本论文的研究目的和意义 | 第32-34页 |
第二章 CdSe纳米晶在惰性气体保护下的合成、表征、和性质 | 第34-53页 |
·合成设备、表征仪器和原料 | 第34-37页 |
·合成设备 | 第34-36页 |
·表征仪器 | 第36-37页 |
·原料 | 第37页 |
·在十八烯中合成CdSe纳米晶 | 第37-42页 |
·实验过程 | 第38页 |
·样品分离 | 第38页 |
·结果和讨论 | 第38-42页 |
·小结 | 第42页 |
·在十八烯中添加次级配体三辛基氧化磷(TOPO)来合成CdSe纳米晶 | 第42-53页 |
·实验过程 | 第43页 |
·结果和讨论 | 第43-52页 |
·小结 | 第52-53页 |
第三章 在空气中合成单分散性的CdSe纳米晶 | 第53-60页 |
·实验过程 | 第53页 |
·结果和讨论 | 第53-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
第四章 合成魔力尺寸的CdSe和CdTe纳米晶 | 第60-70页 |
·实验过程 | 第60-61页 |
·魔力尺寸CdSe纳米晶的合成过程 | 第60-61页 |
·魔力尺寸CdTe纳米晶的合成过程 | 第61页 |
·结果和讨论 | 第61-69页 |
·小结 | 第69-70页 |
第五章 CdSe纳米晶带隙随温度的变化 | 第70-77页 |
·实验过程 | 第70页 |
·结果和讨论 | 第70-76页 |
·小结 | 第76-77页 |
第六章 ZnSe纳米晶的绿色合成路线 | 第77-85页 |
·实验过程 | 第77-78页 |
·结果和讨论 | 第78-84页 |
·小结 | 第84-85页 |
第七章 PbSe和SnSe等IV—VI族半导体纳米晶的合成及表征 | 第85-90页 |
·PbSe和SnSe等纳米晶的合成 | 第85-86页 |
·PbSe纳米晶的合成过程 | 第85页 |
·SnSe和SnS纳米晶的合成过程 | 第85-86页 |
·结果和讨论 | 第86-89页 |
·PbSe纳米晶的实验结果和讨论 | 第86-87页 |
·SnSe和SnS纳米晶的实验结果和讨论 | 第87-89页 |
·小结 | 第89-90页 |
第八章 结论 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-98页 |
攻读博士学位期间发表的文章、申请的专利和荣获的奖项 | 第98-101页 |
致谢 | 第101-102页 |
作者简历 | 第102-103页 |
摘要 | 第103-106页 |
ABSTRACT | 第106-109页 |