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CdSe等半导体纳米晶的合成及性质研究

论文提要第1-8页
第一章 绪论第8-34页
   ·纳米材料的物理理论第9-15页
     ·久保(Kubo)理论第10-11页
     ·量子尺寸效应第11-12页
     ·小尺寸效应第12页
     ·表面效应第12-13页
     ·宏观量子隧道效应第13-14页
     ·库仑堵塞及量子隧穿效应第14页
     ·介电限域效应第14-15页
   ·纳米材料家族中的重要成员——半导体纳米晶第15-17页
   ·半导体纳米晶的典型代表——CdSe纳米晶第17-25页
     ·CdSe纳米晶的研究历程第17-22页
     ·CdSe纳米晶的结构第22-23页
     ·魔力尺寸的CdSe纳米晶第23-25页
   ·半导体纳米晶的生长动力学第25-28页
   ·半导体纳米晶的应用第28-32页
   ·本论文的研究目的和意义第32-34页
第二章 CdSe纳米晶在惰性气体保护下的合成、表征、和性质第34-53页
   ·合成设备、表征仪器和原料第34-37页
     ·合成设备第34-36页
     ·表征仪器第36-37页
     ·原料第37页
   ·在十八烯中合成CdSe纳米晶第37-42页
     ·实验过程第38页
     ·样品分离第38页
     ·结果和讨论第38-42页
     ·小结第42页
   ·在十八烯中添加次级配体三辛基氧化磷(TOPO)来合成CdSe纳米晶第42-53页
     ·实验过程第43页
     ·结果和讨论第43-52页
     ·小结第52-53页
第三章 在空气中合成单分散性的CdSe纳米晶第53-60页
   ·实验过程第53页
   ·结果和讨论第53-59页
   ·小结第59-60页
第四章 合成魔力尺寸的CdSe和CdTe纳米晶第60-70页
   ·实验过程第60-61页
     ·魔力尺寸CdSe纳米晶的合成过程第60-61页
     ·魔力尺寸CdTe纳米晶的合成过程第61页
   ·结果和讨论第61-69页
   ·小结第69-70页
第五章 CdSe纳米晶带隙随温度的变化第70-77页
   ·实验过程第70页
   ·结果和讨论第70-76页
   ·小结第76-77页
第六章 ZnSe纳米晶的绿色合成路线第77-85页
   ·实验过程第77-78页
   ·结果和讨论第78-84页
   ·小结第84-85页
第七章 PbSe和SnSe等IV—VI族半导体纳米晶的合成及表征第85-90页
   ·PbSe和SnSe等纳米晶的合成第85-86页
     ·PbSe纳米晶的合成过程第85页
     ·SnSe和SnS纳米晶的合成过程第85-86页
   ·结果和讨论第86-89页
     ·PbSe纳米晶的实验结果和讨论第86-87页
     ·SnSe和SnS纳米晶的实验结果和讨论第87-89页
   ·小结第89-90页
第八章 结论第90-92页
参考文献第92-98页
攻读博士学位期间发表的文章、申请的专利和荣获的奖项第98-101页
致谢第101-102页
作者简历第102-103页
摘要第103-106页
ABSTRACT第106-109页

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