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基于Flash的电子硬盘研究与设计

摘要第1-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第12-21页
   ·电子硬盘工作原理第12-13页
   ·电子硬盘控制器第13页
   ·电子硬盘接口—IDE概述第13-19页
     ·IDE接口发展进程第14-15页
     ·IDE指令集第15-16页
     ·IDE接口第16-18页
     ·寄存器组第18-19页
   ·课题所做的工作及论文的安排第19-20页
   ·本章小结第20-21页
第二章 电子硬盘存储介质—Flash第21-31页
   ·NAND Flash第21-22页
   ·NOR Flash第22页
   ·新技术第22-23页
   ·NAND Flash与NOR Flash性能比较第23-25页
     ·速度第23页
     ·接口差别第23页
     ·容量和成本第23-24页
     ·可靠性第24页
     ·寿命(耐用性)第24页
     ·位交换(0、1反转)第24页
     ·坏块处理第24-25页
     ·使用难易度第25页
     ·软件支持第25页
   ·NAND Flash基本情况第25-30页
   ·本章小结第30-31页
第三章 NAND Flash特性研究与分析第31-41页
   ·芯片特性第31-35页
     ·容量与存储单元组织第31页
     ·内部结构第31-32页
     ·引脚配置第32-33页
     ·指令系统第33-35页
     ·坏块第35页
   ·指令操作流程第35-37页
     ·初始化坏块信息流程第36页
     ·页编程流程第36-37页
     ·块擦除流程第37页
     ·页读取流程第37页
   ·波形图第37-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 NAND Flash应用算法研究与设计第41-66页
   ·坏块管理第41-45页
     ·坏块出现的原因第41页
     ·坏块的分类第41-42页
     ·坏块管理具体步骤第42-45页
   ·ECC校验第45-59页
     ·算法第45-48页
     ·设计实现第48-49页
     ·工作简述第49页
     ·ECC模块的结构第49-59页
   ·均衡损耗算法第59-64页
     ·均衡损耗算法的必要性第60页
     ·Flash块结构第60-61页
     ·均衡损耗算法第61-62页
     ·平均寿命分析第62-64页
   ·本章小结第64-66页
第五章 NAND Flash控制器设计第66-78页
   ·控制器结构第67-72页
     ·引脚第67页
     ·寄存器、缓存配置第67-70页
     ·时钟控制第70-71页
     ·状态图第71-72页
   ·指令流程第72-77页
     ·页读取指令流程第72-73页
     ·查错状态第73-74页
     ·页编程指令流程第74-75页
     ·块擦除指令流程第75页
     ·重置指令流程第75-76页
     ·读ID指令流程第76页
     ·状态读取指令流程第76-77页
   ·本章小结第77-78页
结束语第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-82页
作者在学期间取得的学术成果第82页

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