| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-26页 |
| ·前言 | 第8-10页 |
| ·GaN材料与发光器件的发展 | 第8-10页 |
| ·GaN的基本性质 | 第10页 |
| ·GaN材料的极化和压电效应 | 第10-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物的能带结构 | 第12-14页 |
| ·Si衬底 | 第14-19页 |
| ·Si衬底结构和性能 | 第14-15页 |
| ·在Si(001)衬底上的生长GaN | 第15-16页 |
| ·在Si(111)衬底上生长GaN | 第16-19页 |
| ·Si(111)基LED | 第19页 |
| ·GaN材料及其器件研究中的困难和存在的问题 | 第19-21页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 Si衬底GaN蓝光LED器件基本发光特性及其可靠性研究 | 第26-48页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验 | 第26-45页 |
| ·Si衬底GaN蓝光LED芯片高温老化特性 | 第26页 |
| ·Si衬底GaN蓝光LED基本光电参数测试 | 第26-41页 |
| ·Si衬底GaN蓝光LED EL强度随温度的变化 | 第41-44页 |
| ·Si衬底GaN蓝光LED EL强度随电流的变化 | 第44-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 利用电致发光特性对Si与蓝宝石衬底GaN基蓝光LEDs极化电场的研究 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·试验 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 Si衬底GaN基蓝光LED发光强度和峰位的变温变电流研究 | 第62-94页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·试验 | 第62-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-91页 |
| ·结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 结论 | 第94-96页 |
| 今后工作的建议 | 第96-97页 |
| 攻读硕士学位期间已发表及待发表的学术论文 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
