| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-35页 |
| ·纳米硅薄膜的研究进展 | 第15-31页 |
| ·纳米硅薄膜的制备方法 | 第16-24页 |
| ·纳米硅薄膜的结构特征 | 第24-27页 |
| ·纳米硅薄膜的光电特性及应用 | 第27-31页 |
| ·纳米硅薄膜的掺杂研究 | 第31-32页 |
| ·硅碳合金研究 | 第32-35页 |
| 第三章 实验方法与设备 | 第35-42页 |
| ·实验设备 | 第35-36页 |
| ·材料分析测试方法 | 第36-42页 |
| ·膜厚测试 | 第36页 |
| ·原子力显微镜 | 第36-37页 |
| ·X射线衍射 | 第37-38页 |
| ·红外吸收光谱 | 第38页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第38-39页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第39页 |
| ·透射电镜(TEM)及高分辨电镜(HREM) | 第39-40页 |
| ·Raman光谱 | 第40页 |
| ·光／暗电导测量 | 第40-41页 |
| ·光致发光 | 第41-42页 |
| 第四章 纳米硅(nc-Si：H)薄膜的制备及结构、性能研究 | 第42-73页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验方法 | 第43页 |
| ·实验结果 | 第43-60页 |
| ·氢稀释比对沉积nc-Si：H薄膜的影响 | 第43-51页 |
| ·衬底温度对nc-Si：H薄膜的影响 | 第51-55页 |
| ·射频功率对nc-Si：H薄膜的影响 | 第55-60页 |
| ·分析与讨论 | 第60-71页 |
| ·nc-Si：H薄膜的结构特征 | 第60-61页 |
| ·纳米硅薄膜的生长机制 | 第61-63页 |
| ·纳米硅薄膜生长过程的分子动力学模拟 | 第63-71页 |
| ·制备条件对纳米硅薄膜光电性能的影响 | 第71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 硼、磷掺杂纳米硅薄膜研究 | 第73-86页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·实验方法 | 第73-74页 |
| ·实验结果 | 第74-83页 |
| ·硼掺杂对纳米硅薄膜的影响 | 第74-78页 |
| ·磷掺杂对纳米硅薄膜的影响 | 第78-83页 |
| ·分析与讨论 | 第83-84页 |
| ·硼、磷掺杂纳米硅薄膜的结构特征 | 第83-84页 |
| ·硼、磷掺杂纳米硅薄膜的光电特性 | 第84页 |
| ·小结 | 第84-86页 |
| 第六章 硅碳纳米复合薄膜研究 | 第86-100页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·实验方法 | 第86-87页 |
| ·实验结果 | 第87-96页 |
| ·掺碳浓度(乙烯比例)对硅碳纳米复合薄膜的影响 | 第87-92页 |
| ·沉积温度对硅碳纳米复合薄膜的影响 | 第92-96页 |
| ·分析与讨论 | 第96-99页 |
| ·硅碳纳米复合薄膜的微结构及其生长过程 | 第96-98页 |
| ·沉积条件对纳米硅碳薄膜光电性能的影响 | 第98-99页 |
| ·小结 | 第99-100页 |
| 第七章 硅氧纳米复合薄膜研究 | 第100-110页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·实验方法 | 第100-101页 |
| ·实验结果 | 第101-107页 |
| ·笑气比例(N_2O／SiH_4)对硅氧纳米复合薄膜的影响 | 第101-104页 |
| ·沉积温度对硅氧纳米复合薄膜的影响 | 第104-107页 |
| ·分析与讨论 | 第107-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第八章 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 附录：与博士学位论文相关的学术论文 | 第118页 |