| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1．1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1．2 微波介质陶瓷的应用及性能指标 | 第9-12页 |
| 1．2．1 微波介质陶瓷的应用原理 | 第9-10页 |
| 1．2．2 微波介质陶瓷的性能指标 | 第10-11页 |
| 1．2．3 微波介质陶瓷的性能测试及其1MHz介电性能 | 第11-12页 |
| 1．3 微波介质陶瓷的主要材料体系 | 第12-13页 |
| 1．4 微波介质陶瓷的低温烧结方法 | 第13-14页 |
| 1．5 新型微波介质陶瓷AB_2O_6 | 第14-16页 |
| 1．6 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-25页 |
| 2．1 陶瓷试样的制备工艺 | 第21-22页 |
| 2．2 陶瓷试样的体积密度及线收缩率 | 第22页 |
| 2．3 陶瓷试样的相结构分析 | 第22-23页 |
| 2．4 陶瓷试样的微观形貌分析 | 第23页 |
| 2．5 陶瓷试样1MHZ下的介电性能测试 | 第23-24页 |
| 2．6 陶瓷试样的微波介电性能的测试 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第3章 单独掺杂钒铋硼对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第25-54页 |
| 3．1 前言 | 第25页 |
| 3．2 掺杂V_2O_5对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第25-35页 |
| 3．2．1 V_2O_5掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第26-28页 |
| 3．2．2 V_2O_5掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第28-29页 |
| 3．2．3 V_2O_5掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第29-30页 |
| 3．2．4 烧结温度对掺杂V_2O_5的ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第30-32页 |
| 3．2．5 烧结温度对掺杂V_2O_5的ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第32-33页 |
| 3．2．6 烧结温度对掺杂V_2O_5的ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第33-34页 |
| 3．2．7 V_2O_5降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第34-35页 |
| 3．2．8 小结 | 第35页 |
| 3．3 掺杂Bi_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第35-44页 |
| 3．3．1 Bi_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第35-37页 |
| 3．3．2 Bi_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第37-39页 |
| 3．3．3 Bi_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第39页 |
| 3．3．4 烧结温度对掺杂Bi_2O_3的ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第39-41页 |
| 3．3．5 烧结温度对掺杂Bi_2O_3的ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第41页 |
| 3．3．6 Bi_2O_3降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第41-44页 |
| 3．3．7 小结 | 第44页 |
| 3．4 掺杂B_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第44-52页 |
| 3．4．1 B_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第44-45页 |
| 3．4．2 B_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第45-47页 |
| 3．4．3 B_2O_3掺杂量对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第47-48页 |
| 3．4．4 烧结温度对掺杂B_2O_3的ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第48-49页 |
| 3．4．5 烧结温度对掺杂B_2O_3的ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第49-50页 |
| 3．4．6 B_2O_3降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第50-51页 |
| 3．4．7 小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第4章 氧化物复合掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第54-68页 |
| 4．1 前言 | 第54页 |
| 4．2 掺V_2O_5-Bi_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第54-59页 |
| 4．2．1 掺杂V_2O_5-Bi_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第55页 |
| 4．2．2 掺杂V_2O_5-Bi_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第55-57页 |
| 4．2．3 掺杂V_2O_5-Bi_2O_3对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第57页 |
| 4．2．4 复合掺杂V_2O_5-Bi_2O_3降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第57-58页 |
| 4．2．5 小结 | 第58-59页 |
| 4．3 掺V_2O_5-Bi_2O_3-CuO对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第59-67页 |
| 4．3．1 CuO掺杂量对复合掺杂的ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第59-60页 |
| 4．3．2 CuO掺杂量对复合掺杂的ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第60-61页 |
| 4．3．3 CuO掺杂量对复合掺杂的ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第61-62页 |
| 4．3．4 烧结温度对掺杂CuO-VBi的ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第62-64页 |
| 4．3．5 烧结温度对掺杂CuO-VBi的ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第64页 |
| 4．3．6 陶瓷的微波介电性能及其与1MHz介电性能的比较 | 第64-65页 |
| 4．3．7 复合掺杂CuO-VBi降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第65-67页 |
| 4．3．8 小结 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第5章 V~(5+)置换Nb~(5+)对ZnNb_2O_6陶瓷显微结构与介电性能的影响 | 第68-79页 |
| 5．1 前言 | 第68页 |
| 5．2 V~(5+)置换量对ZnNb_2O_6陶瓷相结构的影响 | 第68-69页 |
| 5．3 V~(5+)置换量对ZnNb_2O_6陶瓷密度与显微组织的影响 | 第69-71页 |
| 5．4 V~(5+)置换量对ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响 | 第71-72页 |
| 5．5 烧结温度对Zn(Nb_(1.925)V_(0.075)O_6)陶瓷相结构的影响 | 第72-73页 |
| 5．6 烧结温度对Zn(Nb_(1.925)V_(0.075)O_6)陶瓷密度与显微组织的影响 | 第73-74页 |
| 5．7 烧结温度对Zn(Nb_(1.925)V_(0.075)O_6)陶瓷介电性能的影响 | 第74-75页 |
| 5．8 V~(5+)置换Nb~(5+)降低ZnNb_2O_6陶瓷烧结温度的作用机制 | 第75-77页 |
| 5．9 小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 全文结论和进一步研究工作建议 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
