| 一、 引言 | 第1-8页 |
| 二、 SEU的发生 | 第8-11页 |
| 2． 1 空间高能带电粒子环境简介 | 第8-10页 |
| 2． 2 SEU的发生 | 第10-11页 |
| 三、 计算机模拟研究原理 | 第11-15页 |
| 3． 1 环境模式 | 第11页 |
| 3． 2 高能带电粒子在屏蔽材料中的传输和屏蔽 | 第11-12页 |
| 3． 2． 1 粒子在屏蔽材料中传输 | 第12页 |
| 3． 2． 2 高能带电粒子的屏蔽 | 第12页 |
| 3． 3 器件单粒子效应的响应特性 | 第12-14页 |
| 3． 3． 1 器件对重离子辐照的单粒子翻转响应特性 | 第12-13页 |
| 3． 3． 2 器件对质子辐照的单粒子翻转响应特性 | 第13-14页 |
| 3． 4 器件单粒子翻转率计算 | 第14-15页 |
| 3． 4． 1 重离子翻转率计算 | 第14页 |
| 3． 4． 2 质子翻转率计算 | 第14-15页 |
| 四、 实验设备和方法 | 第15-20页 |
| 4． 1 串列加速器 | 第15-17页 |
| 4． 2 辐照与测试方法 | 第17-19页 |
| 4． 3 电子学线路图 | 第19页 |
| 4． 4 实验过程 | 第19-20页 |
| 五、 计算与分析 | 第20-29页 |
| 5． 1 实验数据处理及结果 | 第20-22页 |
| 5． 2 拟合 | 第22-24页 |
| 5． 2． 1 对芯片HM6264的拟合 | 第22-23页 |
| 5． 2． 2 拟合结果 | 第23-24页 |
| 5． 3 计算与分析 | 第24-29页 |
| 5． 3． 1 HM6264的计算过程 | 第24-28页 |
| 5． 3． 2 计算结果 | 第28-29页 |
| 六、 对今后工作的思考 | 第29-31页 |
| 七、 结论 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 致谢 | 第33页 |