| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·MEMS 技术概述 | 第8-12页 |
| ·微机电系统简介 | 第8-9页 |
| ·MEMS 加工工艺 | 第9-11页 |
| ·MEMS 技术的应用与发展 | 第11-12页 |
| ·红外探测技术概述 | 第12-14页 |
| ·红外技术简介 | 第12页 |
| ·红外探测器类型 | 第12-14页 |
| ·测辐射热计概述 | 第14-18页 |
| ·测辐射热计工作原理 | 第14-15页 |
| ·常用测辐射热计敏感材料 | 第15-16页 |
| ·测辐射热计基本结构 | 第16-18页 |
| ·MEMS 非制冷红外成像阵列的发展趋势 | 第18页 |
| ·本论文研究目的及内容 | 第18-20页 |
| 第二章 初始制备工艺介绍及分析 | 第20-27页 |
| ·测辐射热计结构设计 | 第20-22页 |
| ·器件结构设计原理 | 第20-21页 |
| ·器件支撑层微桥设计 | 第21-22页 |
| ·测辐射热计制作工艺设计 | 第22-25页 |
| ·测辐射热计初步工艺制备 | 第25页 |
| ·问题讨论 | 第25-27页 |
| 第三章 测辐射热计用氧化钒敏感材料研究 | 第27-40页 |
| ·氧化钒概述 | 第27-30页 |
| ·氧化钒结构与性能介绍 | 第27-29页 |
| ·氧化钒制备工艺研究 | 第29-30页 |
| ·不同基底制备氧化钒性能研究 | 第30-34页 |
| ·实验研究基础介绍 | 第30-31页 |
| ·实验步骤 | 第31-34页 |
| ·不同基底制备氧化钒性能研究 | 第34-37页 |
| ·不同基底对氧化钒组分和结构影响 | 第34-36页 |
| ·残余应力对氧化钒薄膜制备影响 | 第36-37页 |
| ·热处理对氧化钒薄膜性能影响 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 MEMS 技术中多孔硅牺牲层与绝热性能研究 | 第40-55页 |
| ·多孔硅概述 | 第40-43页 |
| ·多孔硅性能简介 | 第40-41页 |
| ·多孔硅制备技术简介 | 第41-43页 |
| ·多孔硅制备研究 | 第43-48页 |
| ·实验装置和测试设备介绍 | 第43-45页 |
| ·制备参数对多孔硅性能影响 | 第45-48页 |
| ·腐蚀时间对多孔硅微观结构影响 | 第45-47页 |
| ·腐蚀电流密度对多孔硅微观结构影响 | 第47-48页 |
| ·多孔硅牺牲层技术和绝热性能研究 | 第48-54页 |
| ·多孔硅绝热性能研究 | 第49-51页 |
| ·多孔硅牺牲层关键技术研究 | 第51-53页 |
| ·氧化多孔硅在MEMS 牺牲层技术中的应用 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 测辐射热计结构设计及工艺制备研究 | 第55-63页 |
| ·制备工艺讨论及改进 | 第55-57页 |
| ·牺牲层结构测辐射热计制备工艺设计 | 第57-61页 |
| ·支撑层结构优化 | 第57-58页 |
| ·工艺流程调整 | 第58-59页 |
| ·工艺流程确定 | 第59-61页 |
| ·基于多孔硅绝热层技术的测辐射热计工艺制备设计 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 全文总结 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63-64页 |
| ·工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |