| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第1章 引言 | 第12-21页 |
| ·课题背景及意义 | 第12-13页 |
| ·国内外现状 | 第13-18页 |
| ·国外现状 | 第13-15页 |
| ·国内现状 | 第15-18页 |
| ·课题研究内容 | 第18-20页 |
| ·研究特色及初步成果 | 第20-21页 |
| 第2章 低能X射线的测量方法综述 | 第21-29页 |
| ·、全吸收—非全吸收的处理方法 | 第21-26页 |
| ·能注量F与照射量X和吸收剂量D间的关系 | 第21-23页 |
| ·散射修正 | 第23-26页 |
| ·、测量装置 | 第26-29页 |
| ·全吸收量热器 | 第26-27页 |
| ·全吸收电离室 | 第27页 |
| ·Fricke弗里克剂量计(硫酸亚铁化学剂量计) | 第27-28页 |
| ·固体剂量计 | 第28-29页 |
| 第3章 带电粒子平衡条件 | 第29-33页 |
| ·定义 | 第29-32页 |
| ·辐射平衡 | 第29-30页 |
| ·带电粒子平衡 | 第30-31页 |
| ·X和γ射线的吸收剂量与照射量的关系 | 第31页 |
| ·间接致电离辐射场带电粒子平衡失效的原因 | 第31-32页 |
| ·高能场中电子平衡的必要性 | 第32-33页 |
| 第4章 用半导体探测器测量低能X射线 | 第33-50页 |
| ·均匀型半导体探测器的工作原理 | 第33页 |
| ·平面结型半导体探测器的工作原理 | 第33-34页 |
| ·、产生一个"电子—空穴"所需要的平均能量W | 第34-35页 |
| ·、基本理论 | 第34-35页 |
| ·测量ω应该注意的问题 | 第35页 |
| ·、AXUV—100G型半导体探测器结构 | 第35-42页 |
| ·、AXUV—100G型光电二极管的特性 | 第35-36页 |
| ·、常温下利用AXUV—100G型光电二极管测量的工作机理 | 第36-37页 |
| ·、光电流的简化过程 | 第37-42页 |
| ·、AXUV—100G型光电二极管的耗尽层厚度的实验测定 | 第42-46页 |
| ·、均匀高能γ场标定方法 | 第42页 |
| ·、在均匀高能γ场中的标定实验 | 第42-44页 |
| ·、AXUV—100G型光电二极管量子效率的实验测定 | 第44-45页 |
| ·、实验分析 | 第45-46页 |
| ·同步辐射装置验证试验 | 第46-49页 |
| ·实验分析 | 第48-49页 |
| ·联合使用热释光探测器进行研究的必要性 | 第49-50页 |
| 第5章 用热释光探测器测量低能X射线 | 第50-65页 |
| ·、热释光探测器的工作原理 | 第50页 |
| ·、用LIF(MG,TI)热释光探测器测量低能X射线的实验研究 | 第50-52页 |
| ·、LiF(Mg,Ti)热释光探测器的物理性质 | 第50-51页 |
| ·、LiF热释光探测器的剂量学特性 | 第51-52页 |
| ·、LIF(MG,TI)热释光探测器测量低能X射线的原理 | 第52-53页 |
| ·、LIF(MG,TI)热释光探测器在高能均匀场中的刻度 | 第53页 |
| ·、减光片的刻度 | 第53-54页 |
| ·、在同步辐射射线照射下的实验数据 | 第54-65页 |
| ·、热释光探测器自吸收因子的求解理论及实验测定 | 第56-59页 |
| ·、软X射线在热释光探测器中的减弱 | 第59-63页 |
| ·、热释光探测器对低能光子响应的LET依赖性—奇异发光效率的实验研究 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
