ZnO薄膜的制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·ZnO的结构 | 第13-15页 |
| ·ZnO的性质 | 第15-18页 |
| ·ZnO薄膜的光学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的电学性质 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的压敏性质 | 第17页 |
| ·ZnO薄膜的气敏性质 | 第17页 |
| ·ZnO薄膜的磁学性质 | 第17-18页 |
| ·ZnO的制备方法 | 第18-23页 |
| ·磁控溅射方法 | 第18-20页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第20页 |
| ·雾化热解方法 | 第20-21页 |
| ·分子束外延法 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
| ·电子束蒸发 | 第22页 |
| ·溶胶-凝胶方法 | 第22-23页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第23-25页 |
| ·紫外探测器 | 第23页 |
| ·发光二极管 | 第23-24页 |
| ·太阳能电池 | 第24页 |
| ·表面声波器件 | 第24页 |
| ·气敏传感器 | 第24-25页 |
| ·本论文研究的内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 实验方法及样品表征手段 | 第31-41页 |
| ·溶胶-凝胶方法 | 第31-34页 |
| ·溶胶-凝胶技术发展的基本历程 | 第31-32页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本过程 | 第32页 |
| ·溶胶-凝胶方法的优点 | 第32-33页 |
| ·溶胶-凝胶方法的缺点 | 第33-34页 |
| ·旋转涂覆法 | 第34页 |
| ·样品表征手段 | 第34-40页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第35-36页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第36-37页 |
| ·荧光分光光度计 | 第37-39页 |
| ·椭圆偏振测厚仪 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 载玻片衬底制备ZnO薄膜 | 第41-66页 |
| ·实验所用原料与设备 | 第41-42页 |
| ·实验所用原料 | 第41页 |
| ·实验所用设备 | 第41-42页 |
| ·样品的制备过程 | 第42-45页 |
| ·制备溶胶 | 第42页 |
| ·载玻片衬底的清洗 | 第42-43页 |
| ·涂膜 | 第43-44页 |
| ·预热处理 | 第44-45页 |
| ·退火热处理 | 第45页 |
| ·实验结果及分析 | 第45-65页 |
| ·预热处理温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜性能的影响 | 第52-55页 |
| ·退火气氛ZnO薄膜结构的影响 | 第55-58页 |
| ·溶胶浓度与涂膜层数对ZnO薄膜性能的影响 | 第58-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第四章 硅衬底制备ZnO薄膜 | 第66-80页 |
| ·单晶硅基础研究 | 第66-68页 |
| ·硅片衬底的处理 | 第68-70页 |
| ·去除油污 | 第68-69页 |
| ·硅片的化学抛光 | 第69页 |
| ·硅片的RCA清洗 | 第69-70页 |
| ·样品的制备过程 | 第70-71页 |
| ·溶胶的制备 | 第70页 |
| ·涂膜 | 第70-71页 |
| ·预热处理 | 第71页 |
| ·退火热处理 | 第71页 |
| ·实验结果与分析 | 第71-78页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第71-74页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜性能的影响 | 第74-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第五章 实验机理及特殊现象探讨 | 第80-90页 |
| ·溶胶凝胶法制备ZnO薄膜机理 | 第80-85页 |
| ·前躯体溶液的水解反应 | 第80-81页 |
| ·溶胶的缩聚反应 | 第81页 |
| ·薄膜与衬底表面的吸附 | 第81-82页 |
| ·溶胶-凝胶法薄膜的生长机理 | 第82-85页 |
| ·薄膜的预热处理 | 第85页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第85页 |
| ·实验中特殊现象的探讨 | 第85-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第六章 结论 | 第90-91页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第91页 |
| 攻读硕士学位期间获得奖励 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
