| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-12页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物宽带隙半导体材料研究进展 | 第7页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第7-8页 |
| ·半导体低维结构 | 第8-10页 |
| ·本论文主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 薄膜生长中的表面动力学 | 第12-16页 |
| ·薄膜生长中的表面动力学基础 | 第12页 |
| ·薄膜的表面形核与生长 | 第12-13页 |
| ·原子扩散过程 | 第13-14页 |
| ·岛的迁移 | 第14页 |
| ·多层膜的外延生长 | 第14-16页 |
| 第三章 样品制备设备及表征设备简介 | 第16-28页 |
| ·磁控溅射设备简介 | 第16页 |
| ·溅射技术 | 第16-21页 |
| ·X射线及其衍射 | 第21-22页 |
| ·拉曼光谱简介 | 第22-26页 |
| ·光致发光简介 | 第26-28页 |
| 第四章 Si掺杂ZnO薄膜的制备与发光性质研究 | 第28-36页 |
| ·实验设计及样品制备 | 第28-29页 |
| ·样品结构及发光性质表征 | 第29-36页 |
| 第五章 Al_2O_3包埋Si纳米晶薄膜的制备与发光性质研究 | 第36-41页 |
| ·样品制备 | 第36页 |
| ·样品的结构和发光性质表征 | 第36-41页 |
| 第六章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44页 |