| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题背景分析 | 第9-10页 |
| ·运算放大器发展概况 | 第10-11页 |
| ·低压 CMOS Rail-to-Rail运算放大器概述 | 第11-12页 |
| ·低压低功耗模拟电路设计面临的困难 | 第12-13页 |
| ·运算放大器的特点 | 第13-14页 |
| ·CMOS运算放大器的设计方法 | 第14-16页 |
| ·研究目的及意义 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 CMOS器件的模型构建及仿真平台 | 第19-30页 |
| ·MOS管大信号模型 | 第19-23页 |
| ·MOS管简单大信号模型介绍 | 第19-22页 |
| ·MOS管大信号模型的其他参数 | 第22-23页 |
| ·MOS管小信号模型 | 第23-24页 |
| ·MOS管的二阶效应 | 第24-25页 |
| ·体效应 | 第24-25页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第25页 |
| ·亚阈值导电性 | 第25页 |
| ·仿真平台 | 第25-29页 |
| ·HSPICE简介 | 第26页 |
| ·HSPICE的电路分析功能 | 第26-27页 |
| ·电路仿真过程 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计 | 第30-59页 |
| ·低压低功耗模拟电路的设计技术 | 第30-38页 |
| ·弱反型区/亚阈值区电路 | 第30-31页 |
| ·电平位移电路 | 第31-32页 |
| ·体驱动电路 | 第32-34页 |
| ·准浮栅技术 | 第34-36页 |
| ·自举共源共栅电路 | 第36页 |
| ·电流模式电路 | 第36-38页 |
| ·运放输入级 | 第38-45页 |
| ·传统运放输入级 | 第38-39页 |
| ·Rail-to-Rail输入级 | 第39-41页 |
| ·本文设计的带电平位移电路的输入级 | 第41-45页 |
| ·电平位移原理分析 | 第41-44页 |
| ·输入级电路实现 | 第44-45页 |
| ·共源共栅中间放大级 | 第45-51页 |
| ·套筒式共源共栅运算放大器 | 第45-47页 |
| ·折叠式共源共栅运算放大器 | 第47-48页 |
| ·低压宽摆幅共源共栅电流镜 | 第48-50页 |
| ·本文设计的中间增益级 | 第50-51页 |
| ·运放输出级 | 第51-52页 |
| ·偏置电路 | 第52-54页 |
| ·与电源无关的偏置 | 第52-53页 |
| ·偏置电路结构 | 第53-54页 |
| ·频率补偿 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 运算放大器的仿真 | 第59-67页 |
| ·直流特性 | 第59-61页 |
| ·直流传输特性的仿真 | 第59-60页 |
| ·共模输入电压范围的仿真 | 第60页 |
| ·输出电压摆幅的仿真 | 第60-61页 |
| ·交流小信号特性 | 第61-64页 |
| ·开环增益、单位增益带宽和相位裕度的仿真 | 第61-62页 |
| ·共模抑制比的仿真 | 第62-63页 |
| ·电源抑制比的仿真 | 第63-64页 |
| ·瞬态特性 | 第64-66页 |
| ·转换速率的仿真 | 第64页 |
| ·建立时间的仿真 | 第64-65页 |
| ·功耗的仿真 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录A 模型参数值 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第79页 |