热丝化学气相沉积制备SiCN薄膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·SiCN薄膜的研究背景及现状 | 第10-14页 |
| ·SiCN薄膜的特性 | 第14-16页 |
| ·SiCN薄膜的机械性质 | 第14-15页 |
| ·SiCN薄膜的光学性质 | 第15页 |
| ·SiCN薄膜的场发射性质 | 第15-16页 |
| ·SiCN薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·溅射 | 第16页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第16-17页 |
| ·等离子体化学气相沉积(PCVD) | 第17-19页 |
| ·热丝化学气相沉积(RFCVD) | 第19-20页 |
| ·本论文研究的内容 | 第20-22页 |
| 第二章 SiCN薄膜的制备及表征 | 第22-32页 |
| ·SiCN薄膜的制备 | 第22-28页 |
| ·实验装置 | 第22-23页 |
| ·样品的制备 | 第23-25页 |
| ·HFCVD沉积SiCN薄膜的影响因素 | 第25-28页 |
| ·样品的测试表征方法 | 第28-32页 |
| ·X射线衍射(XRD)测试 | 第28页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第28-29页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱(FT-IR)分析 | 第29页 |
| ·拉曼光谱(Raman)分析 | 第29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)测试 | 第29-30页 |
| ·原子力电子显微镜(AFM)测试 | 第30-32页 |
| 第三章 实验结果的分析和讨论 | 第32-52页 |
| ·影响SiCN薄膜生长工艺参数的研究 | 第32-42页 |
| ·衬底温度的影响 | 第32-35页 |
| ·氮气(N_2)流量的影响 | 第35-37页 |
| ·甲烷(CH_4)流量的影响 | 第37-38页 |
| ·反应室压强的影响 | 第38-40页 |
| ·氢气(H_2)流量对薄膜中氮含量的影响 | 第40-42页 |
| ·优化工艺条件下生长SiCN薄膜的结果分析 | 第42-50页 |
| ·晶体结构 | 第43-45页 |
| ·表面形貌 | 第45-47页 |
| ·化学组成 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 结论 | 第52-54页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| ·存在的问题及以后的研究方向 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
