基于硅PIN光电二极管袖珍式γ辐射计的设计与实现
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-13页 |
| ·研究意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·研究发展过程 | 第11页 |
| ·研究现状 | 第11-12页 |
| ·主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 γ射线检测的基础理论 | 第13-25页 |
| ·γ射线的主要来源 | 第13-14页 |
| ·铀系 | 第13页 |
| ·钍系 | 第13页 |
| ·锕铀系 | 第13-14页 |
| ·其他系列 | 第14页 |
| ·γ射线与物质相互作用原理 | 第14-18页 |
| ·光电效应 | 第14-15页 |
| ·康普顿效应 | 第15-16页 |
| ·电子对效应 | 第16-17页 |
| ·γ射线的吸收 | 第17-18页 |
| ·常用γ射线探测器介绍 | 第18-25页 |
| ·气体探测器 | 第18-19页 |
| ·半导体探测器 | 第19页 |
| ·闪烁探测器 | 第19-23页 |
| ·光电倍增管 | 第23-25页 |
| 第3章 光电二极管 | 第25-38页 |
| ·光电二极管工作原理 | 第25-27页 |
| ·基本原理 | 第25页 |
| ·光电导效应 | 第25页 |
| ·光伏效应 | 第25-26页 |
| ·光电二极管结构及工作原理 | 第26-27页 |
| ·光电二极管的噪声 | 第27-29页 |
| ·热噪声 | 第27-28页 |
| ·散粒噪声 | 第28页 |
| ·产生—复合噪声 | 第28-29页 |
| ·1/f 噪声 | 第29页 |
| ·光电二极管的主要性能参数 | 第29-33页 |
| ·光照灵敏度 | 第30页 |
| ·光谱响应 | 第30-31页 |
| ·频率响应 | 第31-32页 |
| ·量子效率 | 第32页 |
| ·噪声等效功率 | 第32-33页 |
| ·硅光电二极管工作原理及特性 | 第33-37页 |
| ·PN 结型硅光电二极管 | 第33-34页 |
| ·硅PIN 光电二极管的原理和特性 | 第34-36页 |
| ·硅雪崩光电二极管（Si-APD）原理和特性 | 第36-37页 |
| ·硅光电二极管性能综合评价 | 第37-38页 |
| 第4章 γ探头设计与实现 | 第38-47页 |
| ·光电转换器件选择 | 第39-41页 |
| ·NaI(Tl)晶体发光的主要特点 | 第39页 |
| ·光电器件选择要求 | 第39-40页 |
| ·器件选择 | 第40-41页 |
| ·光收集器件 | 第41-42页 |
| ·前置放大器设计 | 第42-47页 |
| ·基本原理 | 第43-44页 |
| ·电路设计 | 第44-47页 |
| 第5章 电子线路单元设计与实现 | 第47-58页 |
| ·主放大输出电路设计 | 第47-48页 |
| ·脉冲幅度甄别电路设计 | 第48页 |
| ·电源设计 | 第48-54页 |
| ·3V 转5V 电源设计 | 第49-50页 |
| ·24V 探测器偏置电路设计 | 第50-53页 |
| ·运放用正负2.5V 电源设计 | 第53-54页 |
| ·主控器及其他功能设计 | 第54-58页 |
| ·硬件设计 | 第54-55页 |
| ·软件设计 | 第55-58页 |
| 第6章 系统测试 | 第58-63页 |
| ·系统测试参数 | 第58-59页 |
| ·仪器系统检测 | 第59-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻读硕士期间取得学术成果 | 第67页 |
