| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·铁电材料的概述 | 第13-18页 |
| ·铁电材料基本特性 | 第13-15页 |
| ·铁电物理理论和研究进展 | 第15-18页 |
| ·铁电材料的分类 | 第18页 |
| ·铁电薄膜的性能及其应用研究 | 第18-22页 |
| ·铁电材料的性能和应用 | 第19页 |
| ·铁电薄膜的发展与实用化研究 | 第19-21页 |
| ·铁电—硅基微集成系统 | 第21-22页 |
| ·本文研究内容及创新点 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 铁电薄膜的制备方法及其性能表征 | 第27-45页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第27-32页 |
| ·磁控溅射技术 | 第27-31页 |
| ·溶胶-凝胶(Sol-Gel)制备法 | 第31-32页 |
| ·铁电薄膜性能的表征方法 | 第32-43页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第32-35页 |
| ·原子力显微镜 | 第35-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
| ·能谱分析(EDS) | 第38-40页 |
| ·反射率的测量 | 第40-41页 |
| ·I-V曲线的测量 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的溶胶凝胶生长和性能测试 | 第45-73页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电材料特性及研究现状 | 第45-52页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电材料的介绍 | 第45-47页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电材料的研究现状 | 第47-52页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电薄膜及其缓冲层的制备 | 第52-57页 |
| ·BST铁电薄膜的成分和缓冲层选择 | 第53-55页 |
| ·BST30薄膜和MgO缓冲层的制备流程 | 第55-57页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的结构特性和物理性能分析 | 第57-69页 |
| ·BST30薄膜的结晶与微结构分析 | 第57-63页 |
| ·BST30薄膜的光学常数的确定 | 第63-67页 |
| ·BST30薄膜的电学特性 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 铌酸锶钡(SBN)铁电薄膜的溅射生长和性能测试 | 第73-100页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)铁电材料特性及研究现状 | 第73-81页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)铁电材料的物理特性 | 第73-76页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)薄膜的研究现状 | 第76-78页 |
| ·TiN薄膜的性质及应用 | 第78-81页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)铁电薄膜及其缓冲层的制备 | 第81-86页 |
| ·MgO(001)和TiN(001)缓冲层的制备 | 第81-84页 |
| ·SBN75铁电薄膜的制备 | 第84-86页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)铁电薄膜的结构特性和物理性能分析 | 第86-95页 |
| ·SBN75薄膜的生长与结构分析 | 第86-92页 |
| ·SBN75薄膜的光学特性 | 第92-95页 |
| ·本章小结 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-100页 |
| 第五章 基于锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的微驱动器阵列制备和性能测试 | 第100-130页 |
| ·引言 | 第100-108页 |
| ·自适应光学简介 | 第100-102页 |
| ·MEMS技术概述 | 第102-105页 |
| ·材料选择和结构设计 | 第105-108页 |
| ·实验流程 | 第108-114页 |
| ·PZT52压电薄膜的制备 | 第108-109页 |
| ·单压电片鼓膜驱动器阵列的制备 | 第109-114页 |
| ·性能测试与分析 | 第114-125页 |
| ·PZT52压电薄膜的结晶与微结构分析 | 第114-115页 |
| ·变形反射镜的主要性能参数 | 第115-117页 |
| ·单压电片鼓膜驱动器阵列的性能分析 | 第117-125页 |
| ·本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-130页 |
| 第六章 总结与展望 | 第130-135页 |
| ·论文工作总结 | 第130-132页 |
| ·存在的问题和改进建议 | 第132-134页 |
| ·未来的展望 | 第134-135页 |
| 博士期间取得的成果 | 第135页 |
