DBD等离子体制备石墨烯薄膜结构和性能研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·研究背景 | 第8-13页 |
| ·石墨烯的结构和性能特点 | 第8-10页 |
| ·作为微电子器件用石墨烯性能的要求 | 第10-11页 |
| ·石墨烯薄膜的发展方向与存在的问题 | 第11-12页 |
| ·等离子体技术的特点和优势 | 第12-13页 |
| ·石墨烯薄膜的制备方法 | 第13-17页 |
| ·微机械剥离法制备 | 第13-14页 |
| ·化学剥离方法制备 | 第14页 |
| ·SiC热解法制备 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积法制备 | 第15-16页 |
| ·石墨烯的分离与转移 | 第16-17页 |
| ·本课题提出的意义和研究内容 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 实验设备及工艺 | 第21-33页 |
| ·DBD放电的基本性质 | 第21-23页 |
| ·DBD放电原理 | 第21-22页 |
| ·DBD放电特性 | 第22-23页 |
| ·DBD放电的应用 | 第23-25页 |
| ·材料改性 | 第23-24页 |
| ·薄膜合成 | 第24-25页 |
| ·本实验装置 | 第25-26页 |
| ·工艺参数 | 第26-29页 |
| ·基本工艺参数 | 第26-27页 |
| ·工艺参数的选择 | 第27-28页 |
| ·工艺流程 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第三章 薄膜表征和性能检测 | 第33-40页 |
| ·动力学性能 | 第33-34页 |
| ·成膜速度 | 第33页 |
| ·薄膜大小面积 | 第33页 |
| ·薄膜层数 | 第33-34页 |
| ·薄膜的转移 | 第34页 |
| ·Si/SiO_2基底 | 第34页 |
| ·其它基底 | 第34页 |
| ·表面形貌 | 第34-36页 |
| ·光学显微镜 | 第34-35页 |
| ·SEM | 第35页 |
| ·AFM | 第35页 |
| ·TEM | 第35-36页 |
| ·STM | 第36页 |
| ·结构成分 | 第36-37页 |
| ·FTIR | 第36页 |
| ·XPS | 第36-37页 |
| ·XRD | 第37页 |
| ·Raman | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第四章 实验结果及分析 | 第40-58页 |
| ·金属镍片的抛光 | 第40-43页 |
| ·镍片上石墨烯的制备 | 第43-51页 |
| ·温度的影响 | 第43-46页 |
| ·气体比例影响 | 第46-47页 |
| ·沉积时间的影响 | 第47-48页 |
| ·化学气相沉积与等离子体化学气相沉积比较 | 第48-49页 |
| ·放电功率影响 | 第49-51页 |
| ·等离子体辅助石墨烯生长的机理 | 第51页 |
| ·镀镍单晶硅 | 第51-56页 |
| ·镍膜催化剂的制备 | 第51-52页 |
| ·镍膜不同厚度对生长石墨烯的影响 | 第52-56页 |
| ·薄膜的性能 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| ·本文主要研究成果与结论 | 第58页 |
| ·本文的创新之处 | 第58-59页 |
| ·进一步工作的展望 | 第59-60页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
