P型导电透明二氧化锡薄膜及其PN结的制备和研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·TCO薄膜的发展 | 第9-13页 |
| ·n型导电TCO薄膜的发展 | 第10-11页 |
| ·p型导电TCO薄膜的发展 | 第11-13页 |
| ·SnO_2薄膜的研究进展 | 第13-16页 |
| ·P型导电SnO_2薄膜的研究进展 | 第14-16页 |
| ·TCO薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·磁控溅射法 | 第17-18页 |
| ·喷雾热分解法 | 第18-19页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第19页 |
| ·PN结 | 第19-22页 |
| ·PN结及其内建电场 | 第19-21页 |
| ·TCO薄膜PN结 | 第21-22页 |
| ·本课题的研究目的及内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验 | 第23-30页 |
| ·实验准备 | 第23-25页 |
| ·金属和陶瓷靶材的制备 | 第23-24页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射制备ATO薄膜 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射原理 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射法制备ATO薄膜 | 第26页 |
| ·磁控溅射工艺条件的影响 | 第26-27页 |
| ·薄膜的热处理 | 第27页 |
| ·ATO薄膜性能表征 | 第27-30页 |
| ·薄膜晶体结构的表征 | 第27-28页 |
| ·薄膜表面形貌、成分分析和膜厚的测试 | 第28页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第28页 |
| ·薄膜电学性能的测试 | 第28-30页 |
| 第3章 直流反应溅射P型导电ATO薄膜 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·氧流量对p型ATO薄膜影响 | 第31-35页 |
| ·不同氧气流量下直流反应溅射的薄膜电学性能 | 第31-33页 |
| ·氧流量对薄膜导电性能的影响 | 第33-35页 |
| ·衬底温度对p型ATO薄膜影响 | 第35-39页 |
| ·不同衬底温度下直流反应溅射的薄膜电学性能 | 第36-37页 |
| ·衬底温度对薄膜导电性能的影响 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 石英基片射频溅射法制备P型导电ATO薄膜 | 第40-54页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·射频溅射法制备p型导电ATO薄膜 | 第40-41页 |
| ·P型导电ATO薄膜的光学、电学性能 | 第41-43页 |
| ·可见光区间透过率 | 第41-42页 |
| ·Hall电学测试 | 第42-43页 |
| ·P型导电ATO薄膜的结晶结构及形貌分析 | 第43-46页 |
| ·X射线衍射分析 | 第43-45页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM)分析 | 第45-46页 |
| ·P型导电ATO薄膜的组分和元素价态分析 | 第46-51页 |
| ·EDS分析 | 第46-49页 |
| ·XPS分析 | 第49-51页 |
| ·ATO薄膜导电性能的影响分析 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第5章 P-ATO/N-AZO薄膜PN结的制备 | 第54-57页 |
| 第6章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
