| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-40页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·硅基薄膜太阳电池简介 | 第16-20页 |
| ·太阳电池发展简介 | 第16-17页 |
| ·硅基薄膜太阳电池简介 | 第17-20页 |
| ·热丝CVD 法简介及研究现状 | 第20-28页 |
| ·热丝CVD 法简介 | 第20-23页 |
| ·热丝CVD 反应原理 | 第23-24页 |
| ·热丝CVD 制备硅基薄膜材料及相关太阳电池研究现状 | 第24-28页 |
| ·太阳电池的理论基础[84, 85]与模拟研究简介 | 第28-38页 |
| ·太阳常数及大气质量 | 第28-29页 |
| ·半导体器件特性参数方程 | 第29-32页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第32-35页 |
| ·太阳电池模拟研究概述 | 第35-38页 |
| ·本论文的研究目的与研究计划 | 第38-40页 |
| ·研究目的 | 第38页 |
| ·研究内容和实验方案 | 第38-40页 |
| 第二章 薄膜制备方法与太阳电池模拟模型 | 第40-55页 |
| ·主要实验设备及原料 | 第40-41页 |
| ·主要实验设备 | 第40页 |
| ·主要实验原材料 | 第40-41页 |
| ·设备改造 | 第41-43页 |
| ·热丝CVD 设备改造 | 第41-43页 |
| ·快速热处理炉设计加工 | 第43页 |
| ·热丝前处理工艺及热丝温度标定 | 第43-44页 |
| ·热丝前处理工艺 | 第43页 |
| ·热丝温度标定 | 第43-44页 |
| ·实验方法 | 第44-45页 |
| ·衬底清洗 | 第44页 |
| ·半导体薄膜制备 | 第44-45页 |
| ·欧姆接触电极的制备 | 第45页 |
| ·样品性能表征仪器及方法 | 第45-49页 |
| ·X 射线衍射 | 第46页 |
| ·激光拉曼散射光谱 | 第46-47页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第47页 |
| ·四探针电阻测试及霍尔效应测试 | 第47-48页 |
| ·原子力显微镜及扫描电子显微镜 | 第48页 |
| ·台阶仪 | 第48页 |
| ·分光光度计 | 第48-49页 |
| ·电池模型及计算公式 | 第49-55页 |
| ·太阳电池常用表征参数 | 第49页 |
| ·太阳电池理论模拟模型及计算公式 | 第49-53页 |
| ·p-层和n-层厚度的分析及设定 | 第53-55页 |
| 第三章 热丝CVD 制备硅薄膜的研究 | 第55-71页 |
| ·本征硅薄膜的制备研究 | 第55-63页 |
| ·稀释比对本征硅薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| ·热丝温度对本征硅薄膜性能的影响 | 第58-60页 |
| ·衬底材料对本征硅薄膜性能的影响 | 第60-63页 |
| ·p-Si 薄膜制备研究 | 第63-67页 |
| ·B_2H_6 掺杂比例对p-Si 薄膜性能的影响 | 第63-64页 |
| ·热丝电流对p-Si 薄膜性能的影响 | 第64-66页 |
| ·气压对p-Si 薄膜性能的影响 | 第66-67页 |
| ·n-Si 薄膜制备研究 | 第67-69页 |
| ·PH_3 掺杂比例对n-Si 薄膜性能的影响 | 第67-68页 |
| ·稀释比对n-Si 薄膜性能的影响 | 第68-69页 |
| ·热丝温度对n-Si 薄膜性能的影响 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 热丝CVD 制备锗及锗硅薄膜的研究 | 第71-95页 |
| ·p-Ge 薄膜制备研究 | 第71-81页 |
| ·B_2H_6 掺杂比例对p-Ge 薄膜性能的影响 | 第71-75页 |
| ·稀释比对p-Ge 薄膜性能的影响 | 第75-79页 |
| ·衬底材料对p-Ge 薄膜性能的影响 | 第79-80页 |
| ·其它参数对p-Ge 薄膜性能的影响 | 第80-81页 |
| ·n-Ge 薄膜制备研究 | 第81-83页 |
| ·稀释比对n-Ge 薄膜性能的影响 | 第81-82页 |
| ·PH_3 掺杂比例对n-Ge 薄膜性能的影响 | 第82-83页 |
| ·SiGe 薄膜制备研究 | 第83-93页 |
| ·热丝温度对本征SiGe 薄膜性能的影响 | 第83-87页 |
| ·硅烷/锗烷流量比对本征SiGe 薄膜性能的影响 | 第87-90页 |
| ·稀释比对本征SiGe 薄膜性能的影响 | 第90-92页 |
| ·原型SiGe 薄膜太阳电池研制 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第五章 单结和叠结薄膜太阳电池模拟设计 | 第95-121页 |
| ·单结太阳电池模拟研究 | 第95-106页 |
| ·单结太阳电池禁带宽度对电池性能影响 | 第95-96页 |
| ·单结锗太阳电池各单层膜性能对电池性能的影响 | 第96-98页 |
| ·单结多晶硅太阳电池各单层膜性能对电池性能的影响 | 第98-100页 |
| ·单结非晶硅太阳电池各层膜参数对电池性能的影响 | 第100-103页 |
| ·单结碳化硅太阳电池各单层膜性能对电池性能的影响 | 第103-106页 |
| ·叠结太阳电池模拟研究 | 第106-117页 |
| ·双叠结太阳电池的禁带宽度匹配对电池性能影响 | 第106-107页 |
| ·不同材料构成上下子电池的双叠结太阳电池模拟设计 | 第107-115页 |
| ·同种材料构成上下子电池的双叠结太阳电池模拟设计 | 第115-117页 |
| ·模拟结果分析讨论 | 第117-121页 |
| ·单结太阳电池模拟结果分析讨论 | 第117-119页 |
| ·叠结太阳电池模拟结果分析讨论 | 第119-121页 |
| 第六章 结论及展望 | 第121-124页 |
| ·结论 | 第121-122页 |
| ·主要创新点 | 第122-123页 |
| ·展望 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第136-137页 |
