| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 纳米金刚石的结构 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米金刚石特性及应用 | 第13-16页 |
| 1.2.1 纳米金刚石特性 | 第13-14页 |
| 1.2.2 纳米金刚石的性能应用 | 第14-16页 |
| 1.3 MPCVD法制备纳米金刚石膜 | 第16-19页 |
| 1.3.1 纳米金刚石膜生长机理 | 第16-19页 |
| 1.4 本文研究的目的意义以及研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验装置及表征方法 | 第21-29页 |
| 2.1 实验设备 | 第21-26页 |
| 2.1.1 1kw石英钟罩式MPCVD设备 | 第21-23页 |
| 2.1.2 Woosinent-R2.0型MPCVD装置 | 第23-25页 |
| 2.1.3 自制75kW环形天线式MPCVD设备 | 第25-26页 |
| 2.2 纳米金刚石膜表征方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱 | 第26页 |
| 2.2.2 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.2.4 傅立叶红外光谱 | 第27页 |
| 2.2.5 等离子体发射光谱 | 第27-29页 |
| 第三章 等离子体的放电特征研究 | 第29-39页 |
| 3.1 高气压对等离子体特征研究 | 第29-34页 |
| 3.1.1 气压对活性基团影响 | 第29-31页 |
| 3.1.2 气压对电子密度影响 | 第31-32页 |
| 3.1.3 气压变化对电子温度影响 | 第32-34页 |
| 3.2 高气压下微波功率对等离子体特征影响 | 第34-37页 |
| 3.2.1 功率对活性基团影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 功率对电子密度的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 功率对电子温度影响 | 第36-37页 |
| 3.3 高气压下甲烷浓度等离子体特征研究 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 高气压条件下光学级纳米金刚石薄膜的可控性生长研究 | 第39-61页 |
| 3.1 形核密度对生长纳米金刚石膜的影响 | 第39-44页 |
| 3.1.1 形核密度对表明形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.2 形核密度对晶粒状态的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.3 形核密度对薄膜应力的影响 | 第42-44页 |
| 3.2 纳米金刚石膜生长结构的控制研究 | 第44-49页 |
| 3.2.1 形貌及质量的控制研究 | 第44-48页 |
| 3.2.2 晶粒尺寸的控制研究 | 第48-49页 |
| 3.3 纳米金刚石膜透光率调控研究 | 第49-58页 |
| 3.3.1 气源状态对光透过率研究 | 第49-52页 |
| 3.3.2 纳米金刚石膜光学性能的调控研究 | 第52-57页 |
| 3.3.3 薄膜取向对透光率的影响研究 | 第57-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 高气压高功率下生长大面积纳米金刚石薄膜的研究 | 第61-73页 |
| 5.1 高气压高功率下纳米金刚石膜均匀性的研究 | 第62-66页 |
| 5.1.1 大面积金刚石膜的表面形貌分析 | 第62-63页 |
| 5.1.2 大面积金刚石膜的质量分析 | 第63-66页 |
| 5.2 高气压高功率下氧气浓度对纳米金刚石膜结构质量的影响研究 | 第66-70页 |
| 5.2.1 氧气浓度对纳米金刚石膜形貌的影响 | 第66-67页 |
| 5.2.2 氧气浓度对纳米金刚石膜质量的影响 | 第67-69页 |
| 5.2.3 氧气浓度对纳米金刚石膜生长取向的影响 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-73页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第73-75页 |
| 论文创新点 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
