摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第13-57页 |
1.1 引言 | 第13-17页 |
1.2 表面的反应活性 | 第17-25页 |
1.2.1 表面的材料 | 第17-21页 |
1.2.2 表面的晶格取向 | 第21-22页 |
1.2.3 表面游离金属原子 | 第22-25页 |
1.2.3.1 有机金属态 | 第22-23页 |
1.2.3.2 表面游离金属原子的化学活性 | 第23-25页 |
1.3 模板效应 | 第25-30页 |
1.3.1 吸附物和衬底的对称性匹配 | 第25-26页 |
1.3.2 高米勒指数多台阶面 | 第26-29页 |
1.3.3 纳米沟槽 | 第29页 |
1.3.4 取代基位阻效应 | 第29-30页 |
1.4 热力学和动力学策略 | 第30-37页 |
1.4.1 赝高稀法合成大环分子 | 第31-32页 |
1.4.2 选择高能垒的反应路径 | 第32-34页 |
1.4.3 层级偶联策略 | 第34-37页 |
1.5 本文的选题思路和研究内容 | 第37-40页 |
参考文献 | 第40-57页 |
第2章 实验技术和方法 | 第57-69页 |
2.1 扫描隧道显微镜(STM) | 第57-61页 |
2.1.1 STM的基本原理 | 第57-59页 |
2.1.2 STM的工作模式 | 第59-61页 |
2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第61-62页 |
2.2.1 XPS的基本原理 | 第61-62页 |
2.2.2 同步辐射光电子能谱(SRPES) | 第62页 |
2.3 非接触式原子力显微镜(nc-AFM) | 第62-64页 |
2.4 超高真空技术(UHV) | 第64-65页 |
2.5 分子束外延生长技术(MBE) | 第65页 |
2.6 实验仪器介绍 | 第65-68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第3章 利用氢键保护法高选择性合成顺式烯二炔 | 第69-87页 |
3.1 引言 | 第69-70页 |
3.2 实验部分 | 第70-71页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第71-81页 |
3.3.1 BPBE分子的低温自组装结构 | 第71-73页 |
3.3.2 顺式烯二炔结构的形成 | 第73-76页 |
3.3.3 关于末端自由基的对比实验 | 第76-77页 |
3.3.4 乙炔联苯在Ag(111)表面的反应 | 第77-79页 |
3.3.5 氢键保护效应的DFT计算证明 | 第79-80页 |
3.3.6 氢键保护效应的稳定性 | 第80-81页 |
3.4 本章小结 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
第4章 溴代炔烃在Ag(111)和Cu(111)表面上的格拉泽反应机理 | 第87-109页 |
4.1 引言 | 第87-88页 |
4.2 实验部分 | 第88-89页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第89-102页 |
4.3.1 Ag(111)表面的格拉泽反应 | 第89-94页 |
4.3.2 Cu(111)上的反应 | 第94-98页 |
4.3.3 理论计算和讨论 | 第98-102页 |
4.4 本章小结 | 第102-103页 |
参考文献 | 第103-109页 |
第5章 动力学策略调控石墨单炔和二炔纳米线的生成 | 第109-131页 |
5.1 引言 | 第109-110页 |
5.2 实验部分 | 第110-111页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第111-122页 |
5.3.1 石墨二炔纳米线的形成 | 第111-115页 |
5.3.2 石墨单炔纳米线的形成 | 第115-116页 |
5.3.3 关于Sonogashira偶联高选择性的讨论 | 第116-118页 |
5.3.4 控制实验 | 第118-122页 |
5.3.4.1 分子沉积过程中的表面温度 | 第119-121页 |
5.3.4.2 分子覆盖度 | 第121页 |
5.3.4.3 BPBE的沉积速率 | 第121-122页 |
5.3.5 方法学讨论 | 第122页 |
5.4 本章小结 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-131页 |
第6章 手性炔在表面的反应选择性:伯格曼环化与格拉泽偶联的竞争 | 第131-155页 |
6.1 引言 | 第131-132页 |
6.2 实验部分 | 第132-134页 |
6.3 结果与讨论 | 第134-145页 |
6.3.1 “H”型共价产物的形成 | 第134-138页 |
6.3.2 反应过程 | 第138页 |
6.3.3 反应动力学的DFT计算 | 第138-140页 |
6.3.4 分子间偶联 | 第140-141页 |
6.3.5 有机金属链的模板效应 | 第141-144页 |
6.3.6 讨论 | 第144-145页 |
6.4 本章小结 | 第145-147页 |
参考文献 | 第147-155页 |
第7章 总结与展望 | 第155-159页 |
致谢 | 第159-161页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第161-164页 |