| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 电离机制 | 第10-13页 |
| 1.2.1 多光子电离(Multiphoton ionization, MPI) | 第10-11页 |
| 1.2.2 阈上电离(Above-Threshold Ionization,ATI) | 第11-12页 |
| 1.2.3 隧穿电离(Tunneling Ionization,TI) | 第12页 |
| 1.2.4 越垒电离(Over the Barrier Ionization, OBI) | 第12-13页 |
| 1.3 非序双电离 | 第13-14页 |
| 1.4 高次谐波的产生 | 第14-15页 |
| 1.5 强激光场中的电离抑制现象 | 第15页 |
| 1.6 研究意义 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-21页 |
| 第二章 数值求解模型方法 | 第21-32页 |
| 2.1 含时薛定谔方程的求解 | 第21-23页 |
| 2.2 半经典理论模型 | 第23-24页 |
| 2.3 全经典理论模型 | 第24-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 强激光场中原子分子的高次谐波谱 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 理论方法 | 第32-39页 |
| 3.2.1 Ammosov-Delone-Krainov(ADK)理论 | 第32-35页 |
| 3.2.2 Lewenstein 量子力学理论 | 第35-39页 |
| 3.3 数值计算及结果分析 | 第39-45页 |
| 3.3.1 激光光强和波长对高次谐波谱的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.2 电离抑制对高次谐波谱的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.3 分子取向角对高次谐波谱的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 强激光场中Xe原子的非次序电离 | 第48-56页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 理论方法 | 第48-50页 |
| 4.3 数值计算及结果分析 | 第50-54页 |
| 4.3.1 快慢电子以及初始动量分析 | 第50-52页 |
| 4.3.2 不同场强对非序双电离电子关联的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 攻读硕士期间主要的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
