| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第10-14页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 二维拓扑绝缘体 | 第11-13页 |
| 1.1.3 三维拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| 1.2 Bi_2Se_3纳米薄膜的特性及应用 | 第14-15页 |
| 1.3 Bi_2Se_3纳米结构的制备方法和研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3.1 Bi_2Se_3纳米结构的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.2 Bi_2Se_3纳米结构的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 本课题的研究意义和研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 Bi_2Se_3薄膜的制备过程和表征方法 | 第20-26页 |
| 2.1 化学气相沉积技术的基本原理 | 第20-22页 |
| 2.2 实验设备、源材料及试剂 | 第22-23页 |
| 2.3 实验步骤及装置示意图 | 第23页 |
| 2.4 Bi_2Se_3薄膜的表征方法 | 第23-26页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪(XRD) | 第23-24页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM） | 第24页 |
| 2.4.3 拉曼光谱仪（Raman Spectroscopy） | 第24-25页 |
| 2.4.4 触针式台阶仪 | 第25页 |
| 2.4.5 半导体测试仪 | 第25-26页 |
| 第3章 CVD法制备Bi_2Se_3薄膜工艺参数探索 | 第26-36页 |
| 3.1 蒸发源中Se粉的加入对制备Bi_2Se_3的影响 | 第26-29页 |
| 3.1.1 实验条件 | 第26页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第26-29页 |
| 3.2 基片距蒸发源的距离对制备Bi_2Se_3的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.1 实验条件 | 第29页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第29-32页 |
| 3.3 蒸发源中Se与Bi比值对制备Bi_2Se_3的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.1 实验条件 | 第32页 |
| 3.3.2 实验结果与分析 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 Bi_2Se_3纳米薄膜的制备与表征 | 第36-46页 |
| 4.1 不同Ar气流量下制备Bi_2Se_3纳米薄膜 | 第36-40页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第36页 |
| 4.1.2 实验结果与分析 | 第36-40页 |
| (1)Raman实验结果与分析 | 第36-37页 |
| (2)XRD实验结果及分析 | 第37-38页 |
| (3)SEM实验结果及分析 | 第38-39页 |
| (4)V-I实验结果与分析 | 第39-40页 |
| 4.2 不同沉积时间下制备Bi_2Se_3纳米薄膜 | 第40-43页 |
| 4.2.1 实验条件 | 第40-41页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第41-43页 |
| (1)XRD实验结果及分析 | 第41页 |
| (2)SEM实验结果及分析 | 第41-42页 |
| (3)拉曼实验结果与分析 | 第42-43页 |
| 4.3 不同沉积温度下制备Bi_2Se_3纳米薄膜 | 第43-45页 |
| 4.3.1 实验条件 | 第43页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第43-45页 |
| (1)XRD实验结果及分析 | 第43页 |
| (2)SEM实验结果及分析 | 第43-44页 |
| (3)拉曼实验结果与分析 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜 | 第46-50页 |
| 5.1 实验条件 | 第46页 |
| 5.2 实验结果与分析 | 第46-48页 |
| 5.2.1 XRD实验结果与分析 | 第46-47页 |
| 5.2.2 紫外-可见分光光谱的结果与分析 | 第47-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
