| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-21页 |
| 1.2.1 多孔氧化铝模板 | 第10-16页 |
| 1.2.2 激光等离子体研究进展 | 第16-21页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 2 AAO薄膜制备与表征 | 第23-32页 |
| 2.1 AAO薄膜制备 | 第23-29页 |
| 2.1.1 AAO薄膜产生的原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 AAO薄膜制备 | 第24-26页 |
| 2.1.3 基准样片制备 | 第26-27页 |
| 2.1.4 试剂和设备 | 第27-29页 |
| 2.2 AAO薄膜表征 | 第29-31页 |
| 2.2.1 AAO薄膜XRD和Raman光谱分析 | 第29-30页 |
| 2.2.2 AAO薄膜红外光谱分析 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 AAO薄膜制备规律与特性 | 第32-37页 |
| 3.1 AAO薄膜中纳米孔的有序度分析 | 第32-33页 |
| 3.1.1 电化学抛光对AAO薄膜有序度的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.2 二次氧化AAO薄膜有序度的影响 | 第33页 |
| 3.2 AAO薄膜厚度和孔径的控制 | 第33-36页 |
| 3.2.1 通电时间对AAO薄膜厚度影响 | 第33-34页 |
| 3.2.2 电压对AAO薄膜孔间距影响 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 AAO薄膜发射光谱分析 | 第37-50页 |
| 4.1 AAO薄膜等离子体特性理论分析 | 第37-41页 |
| 4.1.1 等离子体特性测试方法 | 第37-39页 |
| 4.1.2 AAO薄膜等离子体电子温度的计算方法 | 第39页 |
| 4.1.3 AAO薄膜等离子体电子密度的计算方法 | 第39-41页 |
| 4.2 定性分析AAO薄膜的发射光谱 | 第41-43页 |
| 4.3 等离子体电子温度 | 第43-46页 |
| 4.3.1 等离子体温度测量 | 第43-44页 |
| 4.3.2 激光脉冲能量对等离子体电子温度的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 AAO薄膜等离子体电子温度随延迟时间的变化 | 第45-46页 |
| 4.4 等离子体电子密度 | 第46-48页 |
| 4.4.1 AAO薄膜光谱展宽特点 | 第46-47页 |
| 4.4.2 不同调制周期复合薄膜等离子体电子密度 | 第47-48页 |
| 4.4.3 验证AAO薄膜局部热力学 | 第48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 AAO薄膜多孔层的激光吸收机理研究 | 第50-58页 |
| 5.1 AAO薄膜激光吸机理分析 | 第50-54页 |
| 5.1.1 AAO薄膜激光反射率的测试 | 第50-51页 |
| 5.1.2 AAO薄膜激光吸收率模型研究 | 第51-54页 |
| 5.2 AAO薄膜吸收激光产生等离子体过程分析 | 第54-55页 |
| 5.3 AAO薄膜激光辐照结果分析 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |