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半导体光催化材料的设计与合成以及其应用于Cr(Ⅵ)还原的研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 研究背景第9-11页
    1.2 半导体光催化基本原理第11-13页
    1.3 半导体光催化Cr(Ⅵ)还原原理第13页
    1.4 影响半导体光催化Cr(Ⅵ)还原效率的因素第13-15页
        1.4.1 能带结构的影响第13-14页
        1.4.2 形貌对光催化性质的影响第14-15页
        1.4.3 半导体晶体结构对光催化性质的影响第15页
        1.4.4 pH值对光催化Cr(Ⅵ)还原的影响第15页
    1.5 提高光催化效率的途径第15-19页
        1.5.1 能带位置的调控第16页
        1.5.2 形貌调控第16-17页
        1.5.3 半导体复合异质结第17页
        1.5.4 贵金属负载第17-18页
        1.5.5 新型半导体光催化材料的开发第18-19页
    1.6 选题背景及意义第19-21页
第二章 新型分级结构钨酸铋空心微米棒的合成及其光催化Cr(Ⅵ)还原的研究第21-38页
    2.1 前言第21-22页
    2.2 实验部分第22-25页
        2.2.1 实验试剂第22-23页
        2.2.2 钨酸铋空心微米棒的合成第23页
        2.2.3 块材钨酸铋的合成第23-24页
        2.2.4 钒酸铋空心微米棒的合成第24页
        2.2.5 样品表征第24页
        2.2.6 光催化铬离子还原第24-25页
    2.3 实验结果与讨论第25-37页
        2.3.1 Bi-hydro MRs前驱物的合成与表征第25-27页
        2.3.2 分级结构的钨酸秘空心微米棒的合成与表征第27-30页
        2.3.3 空心结构的钨酸铋微米棒的形成机理第30-31页
        2.3.4 能带位置以及表面性质第31-33页
        2.3.5 光催化Cr(Ⅵ)还原第33-35页
        2.3.6 电化学性能测试第35-36页
        2.3.7 光催化CO_2还原测试第36页
        2.3.8 钒酸铋空心微米棒(BiVO_4 HHRs)的合成与光催化性质第36-37页
    2.4 本章总结第37-38页
第三章 碳量子点包裹在内的MIL-53(Fe)@CQDs的合成与其光催化Cr(Ⅵ)还原的研究第38-53页
    3.1 前言第38-39页
    3.2 实验部分第39-41页
        3.2.1 实验试剂第39-40页
        3.2.2 MIL-53(Fe)合成过程第40页
        3.2.3 MIL-53@CQDs的制备第40-41页
        3.2.4 样品表征第41页
        3.2.5 光催化铬离子还原第41页
    3.3 实验结果与讨论第41-52页
        3.3.1 MIL-53@CQDs合成过程示意图第42页
        3.3.2 样品的TEM以及SEM形貌与结构表征第42-45页
        3.3.3 MIL-53(Fe)@CQDs中存在碳量子点的表征第45-46页
        3.3.4 光的吸收特性与能带位置第46-47页
        3.3.5 光催化Cr(Ⅵ)还原测试第47-48页
        3.3.6 光催化效率提升机理研究第48-52页
    3.4 本章总结第52-53页
第四章 总结与展望第53-54页
参考文献第54-68页
攻读学位期间取得的研究成果第68-69页
致谢第69-71页

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